[发明专利]高纯锗探测器在审
申请号: | 202111085898.3 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113589355A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李玉兰;于海军;李元景 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张琛 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高纯 探测器 | ||
本申请公开了一种高纯锗探测器,包括:探测器本体;探测器壳体,探测器壳体设置在探测器本体的外侧,且与探测器本体间隔开,以形成第一真空腔;制冷组件,制冷组件包括内壳和设置在内壳外侧的外壳,内壳和外壳间隔开以形成第二真空腔,内壳限定出容纳液氮的容纳腔,外壳与探测器壳体固定连接,其中第一真空腔与第二真空腔通过封堵组件间隔。本申请的高纯锗探测器,将制冷组件与高纯锗探测器集成于一体,通过封堵组件将探测器本体的第一真空腔和制冷组件的第二真空腔分隔开,形成两个独立的真空腔室,既可以避免制冷组件内部材料释放的物质污染探测器本体内的核心部件,又可以对两个独立的真空腔室进行单独维护。
技术领域
本申请涉及探测器技术领域,尤其涉及一种高纯锗探测器。
背景技术
由于高纯锗晶体本身的特性,高纯锗探测器往往需要在一个低温(低于100K)以及高静态真空的装置中工作,现有液氮制冷技术中使用的杜瓦包括普通实验室中的中型杜瓦和可移动地小型杜瓦两种,可与高纯锗探测器搭配使用,但高纯锗探测器与杜瓦集成度低,不便于户外使用。
发明内容
本申请的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此,本申请提供了一种高纯锗探测器,包括:探测器本体;探测器壳体,所述探测器壳体设置在所述探测器本体的外侧,且与所述探测器本体间隔开,以形成第一真空腔;制冷组件,所述制冷组件包括内壳和设置在所述内壳外侧的外壳,所述内壳和外壳间隔开以形成第二真空腔,所述内壳限定出容纳液氮的容纳腔,所述外壳与所述探测器壳体固定连接,其中所述第一真空腔与所述第二真空腔通过封堵组件间隔。
根据本申请的高纯锗探测器,将制冷组件与高纯锗探测器集成于一体,便于使用者携带使用,通过封堵组件将探测器本体的第一真空腔和制冷组件的第二真空腔分隔开,形成两个独立的真空腔室,既可以避免制冷组件内部材料释放的物质污染探测器本体内的核心部件,以维持高纯锗探测器的性能指标,又可以对两个独立的真空腔室进行单独维护,提升了高纯锗探测器的可维护性。
进一步地,还包括冷指,所述冷指的一端伸入到所述第一真空腔内与所述探测器本体连接,所述冷指的另一端穿过所述封堵组件并伸入到所述容纳腔内,与所述内壳焊接。
进一步地,所述冷指构造为L型,包括:第一段,所述第一段的一端伸入到所述第一真空腔内与所述探测器本体连接,所述第一段的另一端伸入到所述容纳腔内,并在第一方向上延伸;以及第二段,所述第二段的一端与所述第一段连接,所述第二段的另一端在第二方向上延伸,并与所述内壳的侧壁焊接。
进一步地,所述冷指构造为Z型,包括:第三段,所述第三段的一端伸入到所述第一真空腔内与所述探测器本体连接,所述第三段的另一端伸入到所述容纳腔内,并在第一方向上延伸;第四段,所述第四段的一端与所述第三段连接,所述第四段的另一端在第二方向上延伸;以及第五段,所述第五段的一端与所述第四段连接,所述第五段的另一端在第一方向上延伸,并与所述内壳的底壁焊接。
进一步地,所述封堵组件,包括:封堵管,所述封堵管的两端分别固定在所述外壳和所述内壳上;以及封堵塞,所述封堵塞与所述封堵管的管径过盈配合,所述冷指的另一端穿过所述封堵塞并伸入到所述容纳腔内。
进一步地,所述封堵管构造为波纹管。
进一步地,所述内壳和所述外壳之间设置有支撑件,所述支撑件的一端固定在所述内壳上,所述支撑件的另一端固定在所述外壳上。
进一步地,所述支撑件设置有多个,多个所述支撑件的一端彼此靠近,多个所述支撑件的另一端彼此远离。
进一步地,所述支撑件构造为凯夫拉线。
进一步地,所述制冷组件还包括输液管路,所述输液管路的进液端设置在所述外壳上与外部连通,所述输液管路的出液端设置在所述内壳上与所述容纳腔连通。
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