[发明专利]毫米波开关芯片

权利要求书

1.一种毫米波开关芯片，其特征在于：包括SiC衬底（1），所述SiC衬底（1）的上表面形成有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）的上表面形成有第一GaN层（3），所述芯片的底部形成有背栅槽，通过背栅槽使得部分第一GaN层（3）的下表面露出，所述第一GaN层（3）的下表面的裸露部分形成有背栅（4）；所述第一GaN层（3）上表面的左侧形成有源极欧姆接触层（5），所述第一GaN层（3）上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层（6），所述源极欧姆接触层（5）与所述漏极欧姆接触层（6）之间的第一GaN层（3）的上表面从下到上形成有第一AlGaN层（7）、第二GaN层（8）以及第二AlGaN层（9），所述源极欧姆接触层（5）的上表面形成有源极（10），所述漏极欧姆接触层（6）的上表面形成有漏极（11），所述第二AlGaN层（9）的上表面形成有顶栅（12）。

2.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述背栅（4）不与SiC衬底（1）以及AlN缓冲层（2）接触。

3.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述源极欧姆接触层（5）、漏极欧姆接触层（6）以及第二AlGaN层（9）的上表面在同一水平面上。

4.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述源极（10）的面积与所述源极欧姆接触层（5）的面积相同，所述漏极（11）的面积与所述漏极欧姆接触层（6）的面积相同，所述顶栅（12）的面积小于所述第二AlGaN层（9）的面积。

5.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述背栅（4）的厚度小于所述SiC衬底（1）与AlN缓冲层（2）厚度之和。

6.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述SiC衬底（1）的厚度为25微米-50微米。

7.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述AlN缓冲层（2）的厚度为10nm到50nm。

8.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述第一和第二GaN层的厚度为10nm到50nm，第一和第二AlGaN层的厚度为15nm到100nm，其中Al组分为30%。

9.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：源极欧姆接触层（5）和漏极欧姆接触层（6）的制作材料为Ti、Al、Ni和/或Au。

10.如权利要求1所述的毫米波开关芯片，其特征在于：所述顶栅（12）和背栅（4）为肖特基接触电极，其制作材料为Ti、Pt和/或Au。