[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置在审
申请号: | 202111088146.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113991010A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 彭彦莉 | 申请(专利权)人: | 彭彦莉 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
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地址: | 726206 陕西省商洛*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 过渡 金属 化合物 磁场 探测 装置 | ||
本发明涉及磁场探测领域,具体提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置,二维过渡金属硫属化合物层置于基底层上,导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部,四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上,第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。应用时,将本发明置于待测空间的交变磁场内,通过测量第一电极和第二电极间电流的变化,实现磁场探测。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。
技术领域
本发明涉及磁场探测领域,具体涉及一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置。
背景技术
交变磁场是指交变电流产生的磁场。磁场的大小和方向都会随着时间按照一定的规律变化。交变磁场不仅在钢铁冶炼、生物技术、疾病治疗等方面有着重要的应用,而且与仪器仪表运行状态监测、疾病监测等密切相关。传统交变磁场探测技术主要是基于法拉第电磁感应定律的,交变磁场探测灵敏度低。
发明内容
为解决以上问题,本发明提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置,包括基底、二维过渡金属硫属化合物层、导热绝缘弹性材料部、四氧化三铁颗粒、第一电极、第二电极,二维过渡金属硫属化合物层置于基底上,导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部,四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上,第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。
更进一步地,导热绝缘弹性材料部的表面设有凹坑,四氧化三铁颗粒镶嵌于凹坑内。
更进一步地,四氧化三铁颗粒的至少一半被镶嵌在凹坑内。
更进一步地,还包括四氧化三铁层,四氧化三铁层覆盖导热绝缘弹性材料部凹坑外的表面。
更进一步地,四氧化三铁层与四氧化三铁颗粒接触。
更进一步地,二维过渡金属硫属化合物层的材料为硫化钼、碲化钼、硒化钼、硫化钨、碲化钨、硒化钨。
更进一步地,导热绝缘弹性材料部的材料为导热绝缘弹性橡胶。
更进一步地,第一电极和第二电极的材料为金或银。
更进一步地,四氧化三铁颗粒的直径小于10微米。
更进一步地,四氧化三铁层的厚度小于5微米。
本发明的有益效果:本发明提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置,包括基底、二维过渡金属硫属化合物层、导热绝缘弹性材料部、四氧化三铁颗粒、第一电极、第二电极,二维过渡金属硫属化合物层置于基底上,导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部,四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上,第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。应用时,将本发明置于待测空间的交变磁场内,在交变磁场的作用下,四氧化三铁颗粒产生微振动和产生热量,加热和力学作用到二维过渡金属硫属化合物层上,改变了二维过渡金属硫属化合物层的导电特性,通过测量第一电极和第二电极间电流的变化,实现交变磁场探测。因为二维过渡金属硫属化合物层的导电特性严重地依赖于自身的温度和应力,所以本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点,在交变磁场探测领域具有良好的应用前景。
以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置的示意图。
图2是又一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置的示意图。
图3是再一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置的示意图。
图中:1、基底;2、二维过渡金属硫属化合物层;3、导热绝缘弹性材料部;4、四氧化三铁颗粒;5、第一电极;6、第二电极;7、四氧化三铁层。
具体实施方式
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