[发明专利]一种基于磁热效应的交变磁场探测装置

说明书

本发明涉及交变磁场探测领域，具体提供了一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，凹槽设置在基底的表面，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部分别设置在凹槽的两端，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的交变磁场内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现交变磁场探测。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点，在交变磁场探测领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及交变磁场探测领域，具体涉及一种基于磁热效应的交变磁场探测装置。

背景技术

交变磁场是指交变电流产生的磁场。磁场的大小和方向都会随着时间按照一定的规律变化。交变磁场不仅在钢铁冶炼、生物技术、疾病治疗等方面有着重要的应用，而且与仪器仪表运行状态监测、疾病监测等密切相关。传统交变磁场探测技术主要是基于法拉第电磁感应定律的，交变磁场探测灵敏度低。

发明内容

为解决以上问题，本发明提供了一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，包括基底、凹槽、第一四氧化三铁材料部、第二四氧化三铁材料部、二维过渡金属硫属化合物层、第一电极、第二电极，凹槽设置在基底的表面，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部分别设置在凹槽内的两端，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。

更进一步地，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部的高度不小于凹槽的深度。

更进一步地，还包括施力部，施力部置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽中部的上侧。

更进一步地，施力部的材料为四氧化三铁。

更进一步地，凹槽的底部中间高，凹槽的底部两侧低。

更进一步地，二维过渡金属硫属化合物层的材料为硫化钼、碲化钼、硒化钼、硫化钨、碲化钨、硒化钨。

更进一步地，二维过渡金属硫属化合物层中二维过渡金属硫属化合物的层数少于10层。

更进一步地，第一电极和第二电极的材料为金或银。

更进一步地，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部均与凹槽的侧壁不接触。

更进一步地，基底的材料为绝缘材料。

本发明的有益效果：本发明提供了一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，包括基底、凹槽、第一四氧化三铁材料部、第二四氧化三铁材料部、二维过渡金属硫属化合物层、第一电极、第二电极，凹槽设置在基底的表面，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部分别设置在凹槽的两端，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的交变磁场内，在交变磁场的作用下，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部产生微振动和产生热，从而改变了二维过渡金属硫属化合物层的应力和温度，从而改变了二维过渡金属硫属化合物层的导电特性，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现交变磁场探测。因为二维过渡金属硫属化合物层的导电特性严重地依赖于自身的应力和温度，所以本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是一种基于磁热效应的交变磁场探测装置的示意图。

图2是又一种基于磁热效应的交变磁场探测装置的示意图。

图中：1、基底；2、凹槽；3、第一四氧化三铁材料部；4、第二四氧化三铁材料部；5、二维过渡金属硫属化合物层；6、第一电极；7、第二电极；8、施力部。

具体实施方式