[发明专利]一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置

说明书

本发明涉及一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置，该方法包括：将外延片主体置于反应室中；通过原子层沉积工艺在所述外延片主体上形成钝化层，所述钝化层至少将所述外延片主体的正、侧面覆盖；通过采用原子层沉积工艺制得的外延片的钝化层，具有优异的台阶覆盖特性，对外延片侧壁的包覆效果佳，能够有效减少器件的漏电现象，另一方面，采用原子层沉积工艺制得的钝化层非常致密，具有很好的物理钝化性能，可有效减少载流子的非辐射复合；同时能更好的隔绝环境中的水、氧，器件可靠性测试性能会得到改善，增加器件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置。

背景技术

目前，在LED(Light Emitting Diode，发光二极管)的制程中，由于蚀刻技术引入的等离子体轰击会在器件侧壁产生蚀刻损伤，从而使其侧壁含有大量的不饱和键(悬挂键)，而这些不饱和键会造成显著的非辐射复合，降低器件的外量子效率，同时因表面缺陷态的存在，还会产生漏电流现象。这种非辐射复合效应会随着比表面积的增加而越发严重。且随着芯片尺寸的减小，芯片工艺中的MESA、ISO蚀刻图形的深宽比明显增加，而传统LED使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)设备沉积二氧化硅作为PV(Passvision，钝化)层，而PECVD设备沉积的二氧化硅层对相对高深宽比图形的台阶覆盖能力≤50％，且PECVD设备沉积的薄膜侧壁的膜质疏松，膜质差。在Micro LED芯片中继续使用PECVD沉积PV层，无疑增加器件的漏电风险，降低产品良率。

因此，如何制作出对外延片覆盖能力强的钝化层是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种外延片的钝化层制备方法、发光芯片及显示装置，旨在解决相关技术中，外延片的钝化层覆盖能力弱的问题。

一种外延片的钝化层制备方法，包括：

将外延片主体置于反应室中；

通过原子层沉积工艺在所述外延片主体上形成钝化层，所述钝化层至少将所述外延片主体的正、侧面覆盖。

上述外延片的钝化层通过原子层沉积工艺制得，上述钝化层具有优异的台阶覆盖特性，对外延片侧壁的包覆效果佳，能够有效减少器件的漏电现象，同时采用原子层沉积工艺制得的钝化层非常致密，具有很好的物理钝化性能，可有效减少载流子的非辐射复合，能更好的隔绝环境中的水、氧。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种发光芯片，包括：电极和外延片；

所述外延片包括外延片主体，以及形成于所述外延片主体上的钝化层，所述钝化层通过如上述的外延片的钝化层制备方法制得；所述电极设于所述外延片上，并与所述外延片包括的半导体层电连接。

上述发光芯片，由于包括了采用上述钝化层制备方法制备的外延片钝化层，因此在一定程度上提升了外延片侧壁的包覆效果，因此该发光芯片的可靠性测试性能会得到改善，该发光芯片的使用寿命也会增加。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示装置，包括显示面板和上述的发光芯片，所述发光芯片呈阵列排布在所述显示面板上。

上述显示装置由于包括上述发光芯片，上述发光芯片的可靠性测试性能会得到改善，且使用寿命也会增加的基础上，包含上述发光芯片的显示装置的可靠性以及使用寿命也会相应增加。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种外延片的钝化层制备方法的基本流程图；

图2为本发明另一可选实施例提供的外延片的结构示意图；

图3为本发明另一可选实施例提供的发光芯片的结构示意图；