[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202111090580.4 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113823602A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 田兴国;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括：
内埋线路基板，所述内埋线路基板具有第一区域，所述第一区域包括至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域，所述内埋元件区域内设置有至少一个内埋功能元件，所述结构支撑区域内设置有结构支撑件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：
第一基板上线路层，设置于所述内埋线路基板上，且电性连接各所述内埋功能元件。
3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：
基板下线路层，设置于所述内埋线路基板下，所述基板下线路层通过各所述内埋功能元件电性连接所述第一基板上线路层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述结构支撑件为设置于所述内埋元件区域内的内埋虚设元件，所述内埋虚设元件被所述内埋元件区域内的内埋功能元件包围。
5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述内埋虚设元件具有电性连接所述内埋虚设元件的上下表面的第一电镀通孔。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述结构支撑件为所述内埋线路基板中接触所述内埋元件区域的基板。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：
支撑件区域导电结构，设置于所述内埋线路基板对应所述结构支撑件的上表面和/或下表面，任一所述内埋功能元件与所述支撑件区域导电结构之间的最短距离小于各所述内埋功能元件中任两个内埋功能元件之间的最远距离。
8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，各所述内埋元件区域内还设置有第一介电层，所述第一介电层设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件之间。
9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其中，所述第一介电层还设置于所述内埋元件区域内的各内埋功能元件与各所述结构支撑区域之间。
10.一种制造半导体封装装置的方法，包括：
提供核心基板和至少一个内埋功能元件，所述核心基板上下表面分别设置有导电层；
在所述核心基板上形成至少一个内埋元件区域和至少一个结构支撑区域；
将各所述内埋功能元件分别设置在各所述内埋元件区域内，以及在各所述结构支撑区域内形成结构支撑件。
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