[发明专利]一种晶圆寻边装置以及寻边方法在审
申请号: | 202111090824.9 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN113707587A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 吴功;国建花 | 申请(专利权)人: | 上海大族富创得科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 201112 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆寻边 装置 以及 方法 | ||
1.一种晶圆寻边装置,其特征在于,包括:
转动驱动机构,所述转动驱动机构包括主动辊和从动辊,所述主动辊和所述从动辊平行且间隔设置,以承载垂直状态的晶圆,并且所述晶圆在所述主动辊的驱动下能够绕其自身轴线转动;
阻挡杆,所述阻挡杆平行设置于所述主动辊和所述从动辊之间,且所述阻挡杆能够升降,以抬升位于所述主动辊和所述从动辊上的所述晶圆,使其重心位于所述主动辊和所述阻挡杆之间,并在所述晶圆寻边后重心位于所述从动辊和所述阻挡杆之间;以及,
限位机构一,所述限位机构一包括限位晶圆梳一,所述限位晶圆梳一平行设置于所述主动辊和从动辊之间,以夹持所述晶圆边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,当所述阻挡杆抬升所述晶圆时,所述阻挡杆在所述主动辊的周向横截面所在平面的正投影位于所述限位晶圆梳一在该平面的正投影内。
3.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,还包括至少一限位机构二,所述限位机构二包括两个限位晶圆梳二,两个所述限位晶圆梳二分别平行设置于所述主动辊和从动辊的外侧,以夹持所述晶圆边缘。
4.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,还包括转移机构,所述转移机构包括两个转移晶圆梳,以夹持所述晶圆边缘,并带动其升降。
5.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述阻挡杆为圆形杆,且其直径小于所述晶圆凹槽的开口尺寸。
6.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述阻挡杆背离所述晶圆的一侧设置有加固块,且所述加固块与所述阻挡杆同步升降,以使得所述加固块始终支撑所述阻挡杆。
7.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述阻挡杆与所述主动辊之间的距离大于所述阻挡杆与所述从动辊之间的距离,以使得所述阻挡杆抬升所述晶圆后,所述晶圆被承载在所述阻挡杆和所述主动辊上。
8.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述限位晶圆梳一沿其长度方向设置有多个限位卡槽一,所述阻挡杆贯穿多个所述限位卡槽一,以与所述晶圆边缘接触。
9.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述限位晶圆梳一沿其长度方向设置有用于容纳所述阻挡杆的空腔,且所述空腔与所述限位卡槽一连通。
10.根据权利要求3所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述限位晶圆梳二沿其长度方向设置有多个限位卡槽二,并且所述限位卡槽二的深度与所述晶圆的尺寸相适配,以使得被所述主动辊和所述从动辊承载的所述晶圆边缘与所述限位卡槽二槽底之间有空隙。
11.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述晶圆寻边装置的外部罩设有罩体。
12.根据权利要求11所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述罩体的顶部开设有出入口,以供所述晶圆进出所述罩体内部。
13.根据权利要求12所述的晶圆寻边装置,其特征在于,还包括遮挡板,所述遮挡板靠近所述出入口设置,且能够水平移动以开闭所述出入口。
14.根据权利要求1所述的晶圆寻边装置,其特征在于,所述阻挡杆与所述主动辊之间的距离以及所述阻挡杆与所述从动辊之间的距离的大小与被所述阻挡杆抬升时的所述晶圆的状态相适配,以使得转动状态下的所述晶圆被所述阻挡杆阻挡后,朝向靠近所述从动辊的方向偏移。
15.一种晶圆寻边方法,其特征在于,采用如权利要求3-14任一所述的晶圆寻边装置,并且包括以下步骤:
S100将垂直状态的所述晶圆放置于所述主动辊和所述从动辊上;
S200将所述阻挡杆靠近所述从动辊设置,并控制所述阻挡杆上升至抬升所述晶圆,以使所述晶圆被承载在所述阻挡杆和所述主动辊上;
S300控制所述主动辊转动,以带动所述晶圆转动,并使得所述晶圆凹槽嵌入所述阻挡杆阻后,所述晶圆朝向靠近所述从动辊的方向偏移,并被承载在所述阻挡杆和所述从动辊上,或所述阻挡杆和靠近所述从动辊侧的所述限位晶圆梳二上,停止转动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造