[发明专利]一种高纯铝硅靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202111091818.5 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113817994B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜;罗明浩 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/04;B23P15/00 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 铝硅靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种高纯铝硅靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法由以下步骤组成：
将高纯铝硅靶坯依次进行锻伸、水冷、一次热处理、水冷、静压、二次热处理、水冷、一次压延、二次压延、三次热处理以及水冷，得到高纯铝硅靶材；
所述锻伸后高纯铝硅靶坯的直径为高纯铝硅靶初始直径的70-80％；所述锻伸后高纯铝硅靶坯的长度为高纯铝硅靶初始长度的180-210％；
所述静压所得高铝硅靶坯的直径为高铝硅靶坯初始直径的105-120％；所述静压所得高铝硅靶坯的长度为高铝硅靶坯初始长度的70-80％；
所述一次压延和所述二次压延的温度分别为20-40℃；
所述一次压延后高铝硅靶坯的直径为高铝硅靶坯初始直径的180-200％；所述一次压延后高铝硅靶坯的长度为高铝硅靶坯初始长度的23-28％；
所述二次压延后高铝硅靶坯的直径为高铝硅靶坯初始直径的205-220％；所述二次压延后高铝硅靶坯的长度为高铝硅靶坯初始长度的20-25％；
所述一次热处理的温度为480-500℃，时间为10-20min；
所述二次热处理的温度为440-460℃，时间为10-20min；
所述三次热处理的温度为380-400℃，时间为10-20min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高纯铝硅靶坯的纯度为5N-5N5。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锻伸的温度为20-40℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述一次热处理后的水冷与静压之间还包括切断。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对高铝硅靶坯的两端分别进行切断。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，每端切断的长度独立地为高纯铝硅靶坯初始长度的10-15％。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述静压的温度为20-40℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高纯铝硅靶材依次进行圆周锯、校平和车削。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述校平后高纯铝硅靶材的平面度≤1mm。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述车削采用金刚石刀片进行。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述车削后高纯铝硅靶材的粗糙度≤0.8μm。
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