[发明专利]等离子体生成设备

权利要求书

1.一种用于对衬底进行等离子体处理的等离子体生成设备，包括：

腔室，其具有内表面；

等离子体产生装置，其用于在所述腔室内产生感应耦合等离子体；

衬底支撑件，其用于在等离子体处理期间支撑所述衬底；以及

接地的法拉第笼，其布置在所述腔室内以用于对所述内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由所述等离子体处理从衬底移除的材料的影响，其中，所述法拉第笼包括多个竖直对齐的槽，材料能够通过这些竖直对齐的槽溅射到所述腔室的内表面上，且其中所述槽经配置以增加所述腔室的所述内表面的离子轰击进而从所述腔室的所述内表面移除经溅射的所述材料；

其中，所述等离子体产生装置包括天线和RF电源，所述RF电源用于将RF电能供应至具有极性的天线，所述极性在小于或等于1000Hz的频率下进行交替变化，并且其中，所述天线是单匝线圈；及

其中所述槽不明显地影响由所述天线产生的电场。

2.根据权利要求1所述的等离子体生成设备，其中，所述RF电源将RF电能供应至具有极性的天线，所述极性在大于或等于0.01Hz、优选地为0.05Hz、最优地为0.1Hz的频率下进行交替变化。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体生成设备，其中，所述RF电源将RF电能供应至具有极性的天线，所述极性在小于或等于100Hz、优选地为25Hz，最优地为10Hz的频率下进行交替变化。

4.根据权利要求1所述的等离子体生成设备，其中，所述天线水平地布置在所述腔室的周围。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体生成设备，其中，所述RF电源包括RF源和开关，所述开关使供应至所述天线的所述RF电能的极性产生交替变化。

6.根据权利要求1或2所述的等离子体生成设备，还包括用于对所述衬底支撑件进行电偏置的衬底支撑件电源。

7.根据权利要求6所述的等离子体生成设备，其中，所述衬底支撑件电源是用于在所述衬底支撑件上产生RF偏置的RF电源。

8.根据权利要求1或2所述的等离子体生成设备，其中，所述等离子体生成设备被配置用于对所述衬底进行溅射蚀刻。

9.根据权利要求8所述的等离子体生成设备，其中，所述等离子体生成设备被配置用于对所述衬底进行预清洁。

10.一种用于对衬底进行等离子体处理的方法，包括:

通过使用等离子体产生装置来在腔室中产生等离子体，所述等离子体产生装置包括天线和用于对所述天线供应RF电能的RF电源；以及

对所述衬底进行等离子体处理；

其中：

接地的法拉第笼被布置在所述腔室中，所述法拉第笼对所述腔室的内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由等离子体处理从所述衬底移除的材料的影响，并且其中，所述法拉第笼包括多个竖直对齐的槽，材料能够通过这些竖直对齐的槽溅射到所述腔室的内表面上，且其中所述槽经配置以增加所述腔室的所述内表面的离子轰击进而从所述腔室的所述内表面移除经溅射的所述材料；以及

RF电能被供给至具有极性的所述天线，所述极性可在低于或等于1000Hz的频率下进行交替变化，并且其中，所述天线是单匝线圈；及

其中所述槽不明显地影响由所述天线产生的电场。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述等离子体处理是溅射蚀刻工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述衬底包括半导体材料，所述半导体材料具有形成于其上的一个或多个金属层，其中，所述溅射蚀刻工艺从一个或多个金属层上移除材料。