[发明专利]一种超高效的交叉指式背接触异质结太阳电池

权利要求书

1.一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面包括至少一种钝化层，所述前表面经过RIE等离子刻蚀方法，形成一种超低反射率表面；所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括隧穿氧化层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、激光开槽区、钝化层和金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底为N型单晶硅衬底或P型单晶硅衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底的前表面为制绒面，采用RIE等离子刻蚀方法制绒，

采用RIE等离子刻蚀方法制备所需绒面的过程为：

(1)将硅片放置于用于等离子刻蚀承载载具里，送入等离子刻蚀设备腔体；

(2)对设备进行抽真空，在室温25℃，保持设备真空度在100-1000mtorr下，维持压力稳定，通入100-1000sccm SF₆、100-5000sccm O₂以及100-2000sccm Cl₂，进行等离子刻蚀，刻蚀时间为1-100min；

(3)完成刻蚀后，关闭反应气体，并将设备真空抽至100mtorr以下，保持1-5min，然后通入1-10SLM N₂，使设备达到常压状态；

(4)完成刻蚀工艺，取出硅片。

4.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底的背表面为酸抛光面或碱抛光面中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底的前表面设置的钝化层为SiO₂、AlO_x、SiN_x、SiON_x中的一种或几种组合。

6.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底的背表面的隧穿氧化层通过常压热氧氧化、LPCVD热氧氧化中的任意一种方式制得。

7.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层，采用LPCVD掺杂技术实现，其中B掺杂利用BCl₃气态掺杂源实现。

8.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，n+掺杂非晶硅层和p+掺杂非晶硅层交替采用掩膜和激光开槽技术分别实现。

9.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述晶硅衬底背表面钝化层为SiNx和SiONx其中一种或两种组合。

10.根据权利要求1所述的一种超高效交叉指式背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述金属电极为银浆。