[发明专利]一种耐电压I2C接口系统

权利要求书

1.一种耐电压I2C接口系统，其特征在于，包括：

电子设备中的

电源电路，

微电子器件，

耐电压处理电路，

I2C接口电路；及

外围应用电路；

所述外围应用电路通过所述I2C接口电路与设置在设备中的电源电路及微电子器件电连接；

所述I2C接口电路、微电子器件、耐电压处理电路分别与所述电源电路连接，且：

所述耐电压处理电路还与微电子器件电连接，用以将外围应用电路传输到该微电子器件上的电压限定在其工作电压以内，以提高耐电压性能。

2.根据权利要求1所述的耐电压I2C接口系统，其特征在于，所述耐电压处理电路包括：

反相器模块；

分压模块；

高电平选择模块；

输入模块；

所述反相器模块分别与所述分压模块、高电平选择模块以及输入模块电连接，用于对输入电平信号实现180度反转；

所述分压模块分别与所述反相器模块、高电平选择模块及输入模块电连接，用于对外围应用电路加在微电子器件上的外围电压进行分压；

所述高电平选择模块分别与所述反相器模块、分压模块及输入模块电连接，用于屏蔽低电平电压信号、输出高电平电压信号，以维持器件两端电压差稳定；

所述输入模块用于对输入到电子设备内部芯片的电平信号进行滤波整形处理。

3.根据权利要求2所述的耐电压I2C接口系统，其特征在于，所述反相器模块包括CMOS反相器电路及下拉电路，所述CMOS反相器电路通过电阻R1与所述下拉电路电连接。

4.根据权利要求3所述的耐电压I2C接口系统，其特征在于，所述CMOS反相器电路包括：

第一场效应管M1及第二场效应管M2；

所述第一场效应管M1为P型场效应管，所述第二场效应管M2为N型场效应管，所述第一场效应管M1的源极与电源电路连接，漏极与第二场效应管M2的漏极共接，第一场效应管M1的栅极与第二场效应管M2的栅极共接，所述第二场效应管M2的源极接地。

5.根据权利要求4所述的耐电压I2C接口系统，其特征在于，所述下拉电路包括：

第三场效应管M3、第四场效应管M4及第五场效应管M5；

所述第三场效应管M3、第四场效应管M4及第五场效应管M5为N型场效应管，且依次串联连接：所述第三场效应管M3漏极与微电子器件连接，源极与第四场效应管M4的漏极连接，第四场效应管M4的源极与第五场效应管M5的漏极连接，所述第五场效应管M5的源极接地，所述第三场效应管M3、第四场效应管M4的栅极分别与高电平选择模块连接，所述第五场效应管M5的栅极通过电阻R1与所述CMOS反相器电路的漏极共接点连接。

6.根据权利要求5所述的耐电压I2C接口系统，其特征在于，所述分压模块为场效应管串联电路模块，包括：

第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8；及

第一分压输出线路D1、第二分压输出线路D2；

所述第六场效应管M6的源极与所述微电子器件连接，栅极与漏极短接后分别与第七场效应管M7的源极及第一分压输出线D1路连接，所述第七场效应管M7的栅极与漏极短接后分别与第八场效应管M8的源极及第二分压输出线D2路连接，所述第八场效应管M8的栅极与漏极短接后接地。