[发明专利]低温烧结玻璃陶瓷粉及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202111094621.7 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113754409B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 李程峰;余明先;向明;王伟江;戴高环;刘建国 申请(专利权)人: 深圳陶陶科技有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/626;C03C12/00;C03C6/04
代理公司: 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 代理人: 周雷
地址: 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 低温 烧结 玻璃 陶瓷 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明提供一种低温烧结玻璃陶瓷粉,由第一粉体和第二粉体复合而成,其中,按质量份数计,所述第一粉体为3‑10份,所述第二粉体为1份。备所述第一粉体的原料包括1‑50质量份的B2O3、35‑65质量份的CaO和10‑65质量份的SiO2。制备所述第二粉体的原料包括1‑50质量份的H3BO3、35‑65质量份的CaO和10‑65质量份的C8H20Si。还提供一种低温烧结玻璃陶瓷粉的制备方法,包括对所述第一粉体的原料进行混合、熔炼、淬冷、烘干、研磨和热处理。对所述第二粉体的原料进行溶解及喷雾造粒。还提供一种低温烧结玻璃陶瓷粉在低温共烧陶瓷基板中的应用。本发明的低温烧结玻璃陶瓷粉及其制备方法和应用,有效降低了介质材料的高频损耗、介电常数及热膨胀系数,使介质材料具有更优的综合性能。

技术领域

本发明属于功能陶瓷技术领域,特别是涉及一种低温烧结玻璃陶瓷粉及其制备方法和应用。

背景技术

随着电子通信技术的快速发展,每单元体积中的电子元器件数量急剧增加,业内对高频、低介电常数低温共烧陶瓷基板的需求与日俱增,这就要求制备陶瓷基板的介质材料具备介电常数低、高频损耗低、热膨胀系数与芯片相近和热导率高等性能。

目前,低温共烧陶瓷基板常常出现高频损耗高、介电常数随频率变化大、与金属浆料共烧时出现翘曲、热导率低等问题。高频损耗高主要与介质材料中无定形玻璃相过多有关,在高频下玻璃相中的离子电导是介质损耗的主要来源。对于陶瓷/玻璃体系材料中,由于玻璃材料为非结晶玻璃,烧结后仍主要以无定型结构存在,如此一来就大幅提升了介质材料在高频下的介电损耗。玻璃陶瓷体系材料中,虽然一部分结晶玻璃在烧结过程会因为表面析晶过程形成晶体结构,但是仍存在较大部分的结晶玻璃仍以无定形结构存在,同样影响介质材料的高频损耗性能。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,并提供一种低温烧结玻璃陶瓷粉及其制备方法和应用,以解决低温烧结介质材料高频损耗高、介电常数随频率变化大的问题。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种低温烧结玻璃陶瓷粉,由第一粉体和第二粉体复合而成,其中,按质量份数计,所述第一粉体为3-10份,所述第二粉体为1份;

制备所述第一粉体的原料包括1-50质量份的B2O3、35-65质量份的CaO和 10-65质量份的SiO2

制备所述第二粉体的原料包括1-50质量份的H3BO3、35-65质量份的CaO和 10-65质量份的C8H20Si。

对上述技术方案的进一步改进是:

所述第一粉体的粒径为1-10μm,和/或所述第二粉体的粒径为10-200nm。

所述第一粉体在与所述第二粉体复合之前需进行热处理,所述热处理的温度为700-900℃,热处理的加热时间为30-120min。

本发明还提供一种低温烧结玻璃陶瓷粉的制备方法,包括以下步骤:

制备第一粉体:分别称取1-50质量份的B2O3、35-65质量份的CaO和10-65 质量份的SiO2,混合后进行熔炼,得到熔融物,将所述熔融物进行淬冷、烘干、研磨、及热处理后得到所述第一粉体;

制备第二粉体:分别称取1-50质量份的H3BO3、35-65质量份的CaO和10-65 质量份的C8H20Si,混合后溶解于水中,经喷雾造粒后得到所述第二粉体;

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