[发明专利]一种静电放电保护模块及应用其的装置

权利要求书

1.一种静电放电（ESD）保护模块，包括连接在第一电位和第二电位之间的RC检测单元和可控硅整流器(SCR)单元，其特征在于，

所述RC检测单元，用于产生第一信号和第二信号；

所述SCR单元，用于接收所述RC检测单元产生的所述第一信号和所述第二信号；其中，所述SCR单元还包括保护单元，由所述RC检测单元输出的所述第一信号或所述第二信号控制；

在静电放电期间，所述RC检测单元产生的所述第一信号为低电平，所述第二信号为高电平，控制所述保护单元处于低阻状态，使得所述SCR单元工作并形成P-N-P-N通路，为静电电流提供第一电流释放路径；

在电路正常工作期间，所述RC检测单元产生的所述第一信号为高电平，所述第二信号为低电平，控制所述保护单元处于高阻状态，所述保护单元阻断所述SCR单元的P-N-P-N通路，使得所述SCR单元不工作。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述RC检测单元包括并联连接在所述第一电位和所述第二电位之间的RC触发电路、反相电路和放电电路；其中，

所述RC触发电路用于产生触发信号；

所述反相电路与所述RC触发电路的输出端连接，用于输出与所述RC触发电路输出的触发信号反相的第一信号；

所述放电电路与所述反相电路的输出端连接，用于输出所述第二信号并为静电电流提供第二电流释放路径。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述SCR单元包括串联连接在所述第一电位和所述第二电位之间的N阱电阻和第一NPN型三极管，以及串联连接在所述第一电位和所述第二电位之间的PNP型三极管和P阱电阻。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述保护单元为第二NPN型三极管，其集电极接收所述第一信号，基极接收所述第二信号，发射极接收所述第一信号；

在所述静电放电期间，所述保护单元与所述SCR单元共同形成P-N-P-(N+)-N通路；

在所述电路正常工作期间，所述保护单元形成N+保护带，阻断所述SCR单元的P-N-P-N通路。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述第二NPN型三极管的发射极采用分段和环绕型结构。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述保护单元包括连接在所述SCR单元阴极与所述第二电位之间的第一开关管，所述开关管受所述RC检测单元输出的所述第一信号或所述第二信号控制；

在所述静电放电期间，所述第一开关管导通，使得所述SCR单元工作并形成P-N-P-N通路，为静电电流提供第一电流释放路径；

在电路正常工作期间，所述第一开关管关断，使得所述SCR单元不工作。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护模块，还包括：寄生NMOS晶体管，其漏极连接至所述第一电位，栅极和源极共同连接至所述第二电位。

8.根据权利要求2所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述RC触发电路包括串联连接在所述第一电位和所述第二电位之间的第一电容和第一电阻，所述第一电容和所述第一电阻的公共端用于提供所述触发信号。

9. 根据权利要求2所述的静电放电保护模块，其特征在于，所述反相电路包括串联连接在所述第一电位和所述第二电位之间的第一pMOS晶体管和第一nMOS 晶体管，所述第一pMOS晶体管的源极连接至所述第一电位，所述第一pMOS晶体管的栅极和所述第一nMOS 晶体管的栅极均接收所述触发信号，所述第一nMOS 晶体管的源极连接至所述第二电位，所述第一pMOS晶体管的漏极与所述第一nMOS 晶体管的漏极相连并输出所述第一信号。