[发明专利]一种深度一二次融合固封极柱

权利要求书

1.一种深度一二次融合固封极柱，其特征在于，包括壳体，所述壳体内浇筑有真空灭弧室(1)、进线侧电压传感器(7)、进线侧取能高压电容(10)、出线侧取能高压电容(11)、电流传感器(2)和出线侧电压传感器(3)，装配有绝缘拉杆(6)；

还包括出线导电杆(4)，所述出线导电杆(4)的进线端通过软连接(5)连接到所述真空灭弧室(1)的动触头，出线端从所述壳体中伸出。

2.根据权利要求1所述的深度一二次融合固封极柱，其特征在于，

所述进线侧电压传感器(7)、所述进线侧取能高压电容(10)和所述出线侧取能高压电容(11)、出线侧电压传感器(3)均采用陶瓷电容。

3.根据权利要求1所述的深度一二次融合固封极柱，其特征在于，

所述真空灭弧室(1)下方开设有固封极柱内腔(206)；

所述绝缘拉杆(6)位于所述固封极柱内腔(206)内；

所述绝缘拉杆(6)连接到所述真空灭弧室(1)的动触头；

所述出线侧电压传感器(3)设置在所述出线导电杆(4)的出线端；

所述进线侧电压传感器(7)、所述进线侧取能高压电容(10)和所述出线侧取能高压电容(11)围绕所述固封极柱内腔(206)设置。

4.根据权利要求1所述的深度一二次融合固封极柱，其特征在于，

所述壳体内还设置有引线管(8)、第一低压引线、第一高压引线(9)、第二低压引线、第二高压引线(13)、第三低压引线和第三高压引线(12)；

所述壳体的底端开设有出线EVT预留孔(204)、进线EVT预留孔(202)、出线取能预留孔(201)和进线取能预留孔(203)；

所述出线EVT预留孔(204)、所述进线EVT预留孔(202)、所述出线取能预留孔(201)和所述进线取能预留孔(203)内均设置有接线端子；

所述壳体底端还设置有两个ECT引线凸台(205)；

所述ECT引线凸台均设置有接线端子；

所述出线EVT预留孔(204)配置出线EVT低压分压电容；

所述引线管(8)从所述出线EVT预留孔(204)穿出所述壳体；

所述第一高压引线(9)从所述真空灭弧室(1)的静触头引出，进线高压引线；

所述第一低压引线引至所述进线EVT预留孔(202)中设置的第一接线端子上；

所述进线EVT预留孔(202)配置进线EVT低压分压电容；

所述第二高压引线(13)从所述真空灭弧室(1)的静触头引出，进线高压引线；

所述第二低压引线引至所述进线取能预留孔(203)中设置的第二接线端子上；

所述进线取能预留孔(203)配置进线取能低压分压电容；

所述第三高压引线(12)从所述真空灭弧室(1)的动触头引出，出线高压引线；

所述第三低压引线引至所述出线取能预留孔(201)中设置的第三接线端子上；

所述出线取能预留孔(201)配置出线取能低压分压电容。

5.根据权利要求4所述的深度一二次融合固封极柱，其特征在于，

所述电流传感器(2)采用环形结构，环绕在所述导电杆(4)外；

所述电流传感器(2)的二次引线穿过引线管(8)连接到所述ECT引线凸台(205)中设置的第四接线端子上；

所述出线侧电压传感器(3)采用环形结构，环绕在所述导电杆(4)外；

所述出线侧电压传感器(3)的内环为高压电极，与所述出线导电杆(4)相接触，外环为低压电极，低压电极引线穿过所述引线管(8)后连接到所述出线EVT预留孔(204)内设置的第五接线端子上。

6.根据权利要求4所述的深度一二次融合固封极柱，其特征在于，

所述进线侧电压传感器(7)采用长条状高压电容；

所述进线侧电压传感器(7)的内侧为高压电极，连接所述第一高压引线(9)，外侧为低压电极，连接所述第一低压引线。