[发明专利]一种嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法在审

专利信息
申请号: 202111095921.7 申请日: 2021-09-18
公开(公告)号: CN113886281A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 杨晓津 申请(专利权)人: 中大检测(湖南)股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0871
代理公司: 长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙) 43244 代理人: 张毅
地址: 410205 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 嵌入式 nor flash 芯片 数据 存储 管理 方法
【权利要求书】:

1.一种嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,该数据存储管理方法包括:

步骤S1:将NOR FLASH芯片的存储空间划分为索引表区、标志管理表区和数据存储区三个部分,检索索引表区内的第一个索引表数据。所述索引表区的索引表结构包含索引号、对应数据区是否被占用标志和对应标志管理表的地址,标志管理表的数据项包括标志管理区号、数据是否被处理标志、数据对应权重和对应数据存储区的地址;

步骤S2:通过索引表的标志判断对应数据区是否被占用,若对应数据区未被占用则执行步骤S6;若对应数据区被占用则执行下一步骤;

步骤S3:进入对应的标志管理表区,读取标志管理表中的数据是否被处理标志;若被处理则执行步骤S5;若未被处理则执行下一步骤;

步骤S4:根据权重统计表判断当前数据权重是否为最低;若否则执行步骤S6;若是则执行下一步骤;

步骤S5:将标志对应的数据存储地址放入待擦除区;

步骤S6:判断索引表区此轮检索的索引表是否遍历完成,若为否则执行步骤S2以继续检索下一个索引表,若为是则执行下一步骤;

步骤S7:按数据区时间戳先后顺序对待擦除数据进行排序,最先采集的数据地址置于待擦除区首端;

步骤S8:判断待擦除数据数量s是否大于等于所需擦除空间的大小n,如果是则将待擦除区数据地址对应的数据存储区擦除;若否,则将所需擦除的空间大小更改为n-s,并把下一个要检索的索引号更改为下一轮检索的首个索引号值,并执行步骤S2以继续检索下一个索引表;若是则执行下一步骤;

步骤S9:将待擦除区数据地址对应的数据存储区擦除;

步骤S10:将索引表中对应的数据占用标志更改为未占用。

2.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,所述执行步骤S2以继续检索下一个索引表包括:先检索下一个索引号对应的索引号标志,随后执行步骤S2。

3.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,步骤S4中所述的权重统计表为存放于Flash最后一个子扇区内的一个数据表。

4.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,步骤S5中所述的待擦除区为从处理器的SRAM中分配的两个缓存区,其中一个缓存区存放已被处理数据的存储地址,另一个存放未被处理但数据权重为最低的数据存储地址,擦除数据存储区时先根据已被处理数据的存储地址进行擦除。

5.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,在步骤S6中,对所述索引表区内索引表的遍历检索,当索引表数量较为巨大时,则根据所需擦除数据空间的大小设置每轮检索索引表的数量,进行多轮检索。

6.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,在步骤S8中,所述下一轮检索的首个索引号值大于索引表的最大索引号时,将下一轮检索的首个索引号值更改为0,从索引表的开端进行新一轮检索。

7.根据权利要求1所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法,其特征在于,所述的将待擦除区数据地址对应的数据存储区擦除时需根据数据地址判断该数据存储区在Flash存储器内是否跨扇区,如果没有跨扇区则将数据帧所在的整个扇区内容读取至4K的缓存区内,在缓存区内删除需擦除的数据帧,然后擦除整个扇区,再将缓存区内的数据一次性写入扇区;如果要擦除的数据帧在Flash存储器内跨扇区,则需要在跨越的两个扇区内依次执行以上的操作将数据帧擦除。

8.一种嵌入式系统,其特征在于,包括:至少一个处理器以及与所述处理器通信连接的至少一个NOR FLASH存储器,处理器内部SRAM要求容量足够大,在对Flash进行扇区擦除时,能至少分配一个4K的缓存区用来缓存一个扇区的内容,且有足够余量用来为待擦除数据地址分配两个缓存区;在所述NOR FLASH存储器中能够执行如权利要求1至7任一项所述的嵌入式NOR FLASH芯片的数据存储管理方法。

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