[发明专利]一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法

权利要求书

1.一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在铌酸锂基片表面形成一层具有导电性能的导电薄膜；

S2：利用光刻工艺在所述导电薄膜的表面形成一第一钛条沉积窗口以及位于第一钛条沉积窗口两侧的光刻胶波导掩膜结构；

S3：对导电薄膜进行第一次腐蚀，在导电薄膜上对应于所述第一钛条沉积窗口的位置处形成第二钛条沉积窗口，所述第二钛条沉积窗口使得铌酸锂基片的表面显露于外；

S4：在铌酸锂基片显露于外的表面形成一层钛膜；

S5：将铌酸锂基片上的光刻胶波导掩膜结构剥离；

S6：对导电薄膜进行第二次腐蚀，得到具有钛条扩散源的铌酸锂基片；

S7：将步骤S6中得到的铌酸锂基片在预设的扩散温度及扩散时间下进行钛扩散，完成铌酸锂光波导的制备。

2.根据权利要求1所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，采用溅射或蒸发的方法在所述铌酸锂基片上沉积一层导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为形成的钛膜厚度1.5～2.5倍。

3.根据权利要求1所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，所述步骤S2的具体方法为：

S201：在所述导电薄膜上形成一层正性光刻胶层；

S202：在正性光刻胶层的上方，利用掩膜结构对所述正性光刻胶层进行曝光，得到曝光区域的第一光刻胶柱以及位于第一光刻胶柱两侧的第二光刻胶柱；

S203：对曝光后的正性光刻胶层进行显影，除去曝光区域的第一光刻胶柱以形成所述第一钛条沉积窗口以及位于第一钛条沉积窗口两侧的光刻胶波导掩膜结构。

4.根据权利要求3所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S201中，所述正性光刻胶层依次通过涂覆和烘烤形成，所述正性光刻胶层的厚度为0.8～1.5μm，烘烤时间为60～120s，烘烤温度为80～100℃。

5.根据权利要求3所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S202中，对所述正性光刻胶层进行曝光，以在曝光区域的正性光刻胶层形成一截面呈“倒梯形”结构的第一光刻胶柱以及在曝光区域两侧的非曝光区域对应的正性光刻胶层位置处分别形成截面呈“正梯形”结构的第二光刻胶柱；所述曝光时间为5～10s。

6.根据权利要求3所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S203中，对所述正性光刻胶层进行显影的时间为30～40s。

7.根据权利要求5所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，对导电薄膜进行的第一次腐蚀为过腐蚀，以在所述铌酸锂基片上形成第二钛条沉积窗口以及位于所述第二钛条沉积窗口两侧的导电薄膜波导掩膜结构，且所述导电薄膜波导掩膜结构在铌酸锂基片上的垂直投影区域位于其同侧光刻胶波导掩膜结构在铌酸锂基片上的垂直投影区域内。

8.根据权利要求7所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜波导掩膜结构对应被腐蚀一侧的边缘与其同侧的光刻胶波导掩膜结构的下底边缘之间的展宽范围为0.5～2.5μm。

9.根据权利要求1所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，采用溅射或蒸发的方法在所述铌酸锂基片上沉积一层钛膜，所述钛膜的厚度为700～900埃。

10.根据权利要求1所述的一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，其特征在于，在步骤S7中，在进行钛扩散时，所述扩散温度为1000～1100℃，所述扩散时间为7～10h。