[发明专利]一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪在审
申请号: | 202111096731.7 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113640852A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 赵秋贺;罗迷;叶邦角;刘建党;张宏俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01T1/36 | 分类号: | G01T1/36 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 张乾桢 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 薄膜 样品 正电子 湮没 寿命 | ||
1.一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,其特征在于,包括反符合模块、伽马探测器、采集模块和数据处理模块,所述反符合模块、伽马探测器分别与采集模块相连,所述采集模块连接到数据处理模块;
所述的反符合模块包括两片薄塑料闪烁体、光电倍增器件、待测薄膜样品和放射源;
其中,两片薄塑料闪烁体将待测薄膜样品和放射源夹在中间。
2.根据权利要求1所述的一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,其特征在于:
所述反符合模块的光电倍增器件是一个或者两个;如果是两个,则分别位于两片薄塑料闪烁体的两侧;如果是一个,则位于两片薄塑料闪烁体的一侧,且在两片薄塑料闪烁体中远离光电倍增器件的一个薄塑料闪烁体上设置一层反射材料。
3.根据权利要求1所述的一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,其特征在于:
所述伽马探测器包括闪烁体以及与之耦合的光电倍增器件,伽马探测器的闪烁体选用溴化镧晶体、氟化钡晶体、硅酸钇镥晶体和塑料闪烁体,用来探测放射源衰变产生的1.275MeV的伽马光子和正电子湮没产生的0.511MeV的伽马光子,两路伽马探测器测量的时间差的统计分布即为正电子湮没寿命谱;中间路为反符合模块,用于判断正电子是否湮没在样品中。
4.根据权利要求1所述的一种用于测量薄膜样品的正电子湮没寿命谱仪,其特征在于:
所述采集模块负责采集探测器脉冲数据,传输至计算机数据处理模块处理分析;当两路伽马探测器分别测量到放射源衰变产生的1.275MeV的伽马光子和正电子湮没产生的0.511MeV的伽马光子时,计算两者间的时间差,并根据反符合模块的信号决定事例的去留,时间差统计得到最终的正电子湮没寿命谱。
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