[发明专利]一种玻璃基板的加工方法有效
申请号: | 202111097790.6 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113828943B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 肖红星;程灿;吴佳辉;汪康;龙维 | 申请(专利权)人: | 湖北优尼科光电技术股份有限公司 |
主分类号: | B23K26/382 | 分类号: | B23K26/382;B23K26/60;C03C17/22;B24B27/033 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 张璐 |
地址: | 432500 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 加工 方法 | ||
1.一种玻璃基板打孔方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)沉积碳化硅层:采用激光化学气相沉积法,在玻璃基板上待打孔的区域处沉积碳化硅层;
(2)预加热处理:将含有所述碳化硅层的玻璃基板转移至预热腔中,维持预加热温度60~180s,且预加热温度为600~800℃;
(3)激光脉冲打孔:在所述预加热温度条件下,采用脉冲激光依次贯穿所述碳化硅层和玻璃基板,完成打孔;
(4)抛光清洗:所述激光脉冲打孔后,对所述碳化硅层打磨抛光,并用清洗剂洗净,得到打孔的玻璃基板。
2.根据权利要求1中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述步骤(1)具体包括:
将玻璃基板置于冷壁式激光化学气相沉积反应器的反应腔中,并抽至真空;
向反应腔内通入碳源气体和氢气,维持真空度在10~1000Pa范围内,用连续激光辐照玻璃基板表面,至预设沉积温度辐照5~10s后迅速撤去激光并停止通入碳源气体和氢气,形成碳化硅层。
3.根据权利要求2中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述碳源气体为六甲基二硅烷。
4.根据权利要求2中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述碳源气体的流量为5~15sccm。
5.根据权利要求2中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述氢气的流量为2~4sccm。
6.根据权利要求2中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述预设沉积温度为1050~1150℃。
7.根据权利要求2中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述连续激光的波长为900~1500nm。
8.根据权利要求1中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述步骤(3)中,采用CO2激光器发射所述脉冲激光,其功率密度为0.5~20kW,脉冲持续时间为0.01~0.11ms。
9.根据权利要求1中所述的玻璃基板打孔方法,其特征在于,所述步骤(4)中,所述清洗剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚、硅酸钠、甲基甘氨酸钾和乙醇,所述脂肪醇聚氧乙烯醚、硅酸钠、甲基甘氨酸钾和乙醇的质量比为(1~2):(1~2):(2~5):80。
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