[发明专利]一种用于DAB变换器的综合优化调制方法

权利要求书

1.一种用于DAB变换器的综合优化调制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：根据DAB变换器调制变量之间的关系生成对应的优化工作模态；

S2：根据DAB变换器的等效电路，计算对应优化工作模态的稳态特征；稳态特征包括传输功率和电感电流峰值；

S3：根据DAB变换器死区时间内开关管的换流过程，计算实现软开关的控制条件；

S4：根据各个优化工作模态的稳态特征以及实现软开关的控制条件，结合三重移相调制的方式计算对应的综合优化调制方案，并基于所述综合优化调制方案对DAB变换器进行调制。

2.如权利要求1所述的用于DAB变换器的综合优化调制方法，其特征在于：DAB变换器包括一次侧部分和二次侧部分；一次侧部分包括H桥H₁和开关管S₁至S₄；二次侧部分包括H桥H₂和开关管S₅至S₈；其中，开关管均为50％占空比导通，H桥的桥臂上、下两只开关管的驱动互锁；

一次侧部分H₁桥的内部相移，即开关管S₁和S₄驱动信号之间的移相差表示为D₁；二次侧部分H₂桥的内部相移，即开关管S₅和S₈驱动信号之间的移相差表示为D₂；一、二次侧部分H桥之间的外部相移，即开关管S₁和S₅驱动信号之间的移相差表示为D₀；D₁、D₂及D₀均为DAB变换器的调制变量。

3.如权利要求2所述的用于DAB变换器的综合优化调制方法，其特征在于：生成两个优化工作模态modeI和modeII；

modeI表示为(0D1D01^D1D0+D21)：在半个开关周期内(0-T_h)，依次为S₁、S₃、S₆和S₇导通阶段，S₁、S₄、S₆和S₇导通阶段，S₁、S₄和S₅导通阶段，S₁、S₄、S₅和S₈导通阶段；各导通阶段时序时长分别为D₁T_h、D₀T_h-D₁T_h、D₂T_h、T_h-D₂T_h-D₁T_h；

modeII表示为(0D0D11^0D0+D2D1)：在半个开关周期内(0-T_h)，依次为S₁、S₃、S₆和S₇导通阶段，S₁、S₃、S₅和S₇导通阶段，S₁、S₃、S₅和S₈导通阶段，S₁、S₄、S₅和S₈导通阶段；各阶段时序时长分别为D₀T_h、D₂T_h、D₁T_h-D₀T_h-D₂T_h、T_h-D₂T_h-D₁T_h。