[发明专利]助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法有效
| 申请号： | 202111101213.X | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113818085B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 司志伟;刘宗亮;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/10;C30B30/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔剂 均匀 化生 氮化物 系统 方法 | ||
1.一种助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的方法，其特征在于，所述的方法是基于助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统实施的，并且所述的方法包括：
以第二升降机构将籽晶或衬底置于氮化物单晶生长体系的液面上方，并以N等离子体发生器产生N等离子体对籽晶或衬底进行N等离子体处理5 -10分钟，以使所述籽晶或衬底表面产生缺陷位点；
以第二升降机构将所述籽晶或衬底置于氮化物单晶生长体系内的指定深度处，并进行氮化物单晶的生长，以及，在进行氮化物单晶的生长时，以N等离子体发生器产生N等离子体作为所述氮化物单晶生长所需的氮源，所述N等离子体的功率为1MHz-100MHz，功率为40~500W。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：以第一升降机构将N等离子体发生器置于氮化物单晶生长体系的液面上方的指定高度处，再以N等离子体发生器产生N等离子体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统包括助熔剂法氮化物单晶生长设备，以及
N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于对所述氮化物单晶生长所需的籽晶或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶或衬底表面产生缺陷位点；并提供N等离子体作为所述氮化物单晶生长所需的氮源；
第一升降机构，其至少用于调控所述N等离子体发生器与氮化物单晶生长体系的液面之间的距离；
第二升降机构，其至少用于调控所述籽晶或衬底与氮化物单晶生长体系的液面之间的距离。
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