[发明专利]一种测试方法以及相关测试装置在审
申请号: | 202111101571.0 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113791365A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 梁超业;刘党旗;赵晓磊;李行军;程建锋 | 申请(专利权)人: | 诚瑞光学(南宁)有限公司 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52;G01R31/28;G01D21/02;G02B7/02 |
代理公司: | 广东普罗米修律师事务所 44615 | 代理人: | 齐则琳;黄利平 |
地址: | 530031 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 方法 以及 相关 装置 | ||
本发明提供了一种测试方法以及相关测试装置,应用于自动对准设备中的测试装置。本发明的测试方法可以在传感器组件与镜头组件进行对准封装的正常制程测试中发现传感器组件的传感器芯片存在模拟电源电压AVDD对地短路的缺陷。本发明的测试方法包括:将所述测试装置的原输出电压提升至目标输出电压,所述原输出电压包括模拟电源电压,所述目标输出电压包括目标模拟电源电压;使用所述目标输出电压对安装在所述测试装置的传感器芯片进行预设时长的测试,得到测试结果;判断所述测试结果是否符合所述传感器芯片对应的测试要求;所述测试结果符合所述测试要求,则通过测试;若所述测试结果不符合所述测试要求,则未通过测试。
【技术领域】
本发明涉及镜头模组测试技术领域,特别是一种测试方法以及相关测试装置。
【背景技术】
根据摩尔定律,随着用于镜头模组中实现将光信号转化为电信号的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)芯片的发展,CMOS芯片的像素尺寸(Pixel size)越来越小,当CMOS芯片的像素尺寸低于1.0微米(um)时,CMOS芯片接近电路设计的物理极限,CMOS芯片的模拟电源电压AVDD(analog voltage device)存在对地短路现象。
在对镜头模组进行组装的工厂中,需要将带有传感器芯片的传感器组件与镜头组件进行对准封装,而当前工厂对将传感器组件与镜头组件进行对准封装的正常制程测试流程不能及时发现传感器组件的传感器芯片存在模拟电源电压AVDD对地短路的缺陷,进一步导致可能存在缺陷的传感器芯片被封装到镜头模组中,进而导致镜头模组在终端电子设备不能正常使用,造成资源浪费。
因此,有必要提供一种测试方法以及相关测试装置,在传感器组件与镜头组件进行对准封装的正常制程测试中发现传感器组件的传感器芯片存在模拟电源电压AVDD对地短路的缺陷,避免存在缺陷的传感器芯片被封装到镜头模组中,减少资源浪费。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种测试方法以及相关测试装置,旨在将传感器组件与镜头组件进行对准封装的正常制程测试中发现镜头模组中传感器芯片存在模拟电源电压AVDD对地短路的缺陷。
本发明的技术方案如下:
本发明第一方面提供一种测试方法,应用于自动对准设备中的测试装置,包括:
将所述测试装置的原输出电压提升至目标输出电压,所述原输出电压包括模拟电源电压,所述目标输出电压包括目标模拟电源电压;
使用所述目标输出电压对安装在所述测试装置的传感器芯片进行预设时长的测试,得到测试结果;
判断所述测试结果是否符合所述传感器芯片对应的测试要求;
若所述测试结果符合所述测试要求,则通过测试;
若所述测试结果不符合所述测试要求,则未通过测试。
可选的,所述传感器芯片设于传感器组件中,在将所述测试装置的原输出电压提升至目标输出电压之前,所述测试方法还包括:
将镜头组件与所述传感器芯片进行对准;
记录所述镜头组件与所述传感器芯片对准时的空间坐标位置;
在通过测试之后,所述测试方法还包括:
依照所述空间坐标位置将所述镜头组件与所述传感器组件进行贴合,得到镜头模组,以使得所述传感器芯片被封装在所述镜头模组中。
可选的,在记录所述镜头组件与所述传感器芯片对准时的空间坐标位置之后,依照所述空间坐标位置将所述镜头组件与所述传感器组件进行贴合之前,所述测试方法还包括:
分离所述镜头组件与所述传感器组件;
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