[发明专利]一种多光束扫描式激光直写装置及其刻写方法在审
申请号: | 202111104342.4 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113867105A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 郑金轮;魏劲松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光束 扫描 激光 装置 及其 刻写 方法 | ||
一种多光束扫描式激光直写装置及其刻写方法。该激光直写光刻装置中的光学扫描部分能够扫描出N束互相平行且相邻光束间距相同的刻写光束。实施刻写时,将待刻写样品固定于该装置中的二轴工件台上,二轴工件台中的刻写轴运行在特定的速度时,配合该激光直写光刻装置的扫描光束后就能刻写出等周期光栅状轨迹。本专利探索了激光直写光刻装置中刻写光束数量N、光束扫描速度和刻写轴速度三个变量与光栅状轨迹的周期的关系,发明了一种能够扫描出N束互相平行且相邻光束间距相同的刻写光束的多光束扫描式激光直写光刻装置,同时提出了利用该装置刻写出等周期光栅轨迹的刻写方法。该方法相比传统多光束方法能有效降低对扫描透镜大口径的需求。
技术领域
本发明属于激光直写光刻技术领域,具体是一种多光束扫描式激光直写装置及其刻写方法。
背景技术
激光直写光刻技术作为一种常用的微纳米加工手段,具有成本低、加工速度快、使用便捷等优点,在微电子、集成光学、微机电系统、光信息存储、定制芯片等方面具有广泛应用。
但是,现在限制激光直写光刻技术进一步发展的原因主要有刻写速度和刻写精度都不高这两个方面。在解决刻写速度这一困难上,人们主要采用了多光束方案来解决。传统多光束方案里,其N束刻写光束的排布方式为在同一直线上排布,该方法简单自然,但是该方法难以与转镜这种高速光学扫描器配合,这限制了它的速度上限。本发明专利提供了一种特殊的适用于多光束扫描式激光直写光刻装置的刻写方法。
发明内容
为克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种多光束扫描式激光直写装置及其刻写方法,该方法能适用于转镜这种扫描角度固定的高速光学扫描器,该方案中的多束刻写光束以平行等间距的排布方式进入扫描透镜,有效利用了扫描透镜的入瞳面积,降低了对大口径扫描透镜的依赖。
本发明的技术解决方案如下:
一种多光束扫描式激光直写装置,包括N束刻写激光器、光束方向调整模块、光束扫描器、扫描透镜、场镜、刻写物镜、二轴工件台。装置工作时,所述N束刻写激光器发出N束刻写光束进入光束方向调整模块;光束方向调整模块将N束刻写激光汇聚至所述光束扫描器上的同一点,并且这N束刻写激光每相邻两束激光的入射至光束扫描器的夹角相同;经过所述光束扫描器扫描的N束刻写激光以平行等间距的排布方式进入所述扫描透镜;同时扫描出的刻写光束方向为单向,即从刻写起始端扫描至刻写结束端再跳回刻写起始端进行下一轮扫描;并且光束扫描速度是一致的,即刻写光束扫描至刻写起始端再到下一轮扫描时刻写光束再次扫描至刻写起始端的耗时也是一致的,定义这个耗时为时间周期T;之后刻写光束依次经过所述场镜和刻写物镜后在刻写物镜的工作面上扫描出平行等间距分布的刻写轨迹,设该间距为Δ;在所述二轴工件台上放置待刻写样品,同时保证待刻写样品的刻写表面位于所述刻写物镜的工作面上。
利用上述激光直写装置刻写样品的方法包括以下步骤:
步骤1)所述二轴工件台中垂直于刻写光束方向的轴定义为刻写轴。将待刻写样品放置于所述二轴工件台上,控制二轴工件台的刻写轴运动,同时所述的激光直写光刻装置中的光学扫描部分不停地扫描出刻写光束,此时待刻写样品上就会扫描出光栅状轨迹,定义刻写轴的运动速度为V,在一个时间周期T内每束刻写光束在刻写轴方向上移动的距离为X,X=TV。
步骤2)当X满足公式(3)时,在待刻写样品上即可获得周期一致的光栅状轨迹,其对应的周期表达式如公式(4)所示,其中M为自然数,表示在一个间距Δ中X的个数,t表示光栅周期。结合X=TV可得此时的V满足公式(5),即设置刻写轴的速度为公式(5)时可获得公式(4)表示的等周期光栅状图形。
与现有其他多光束刻写方案相比,本发明的优点是:
1)本装置中的二轴工件台无需步进式运动,因为步进式运动需要位移台频繁地加减速,综合刻写效率不高,并且频繁加减速会影响刻写的精度。
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