[发明专利]纯水制造装置和纯水制造方法在审

专利信息
申请号: 202111105680.X 申请日: 2021-09-22
公开(公告)号: CN114249468A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 盐谷惟;关根健文;高桥一重;桥本浩一郎 申请(专利权)人: 奥加诺株式会社
主分类号: C02F9/08 分类号: C02F9/08;C02F103/04
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 孙明;王刚
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纯水 制造 装置 方法
【说明书】:

本发明能够高效除去硼和有机物。本发明的纯水制造装置(1)由包含硼和有机物的被处理水制造纯水。纯水制造装置(1)具备:第一RO装置(31),其中,供给有被处理水;pH调整剂的注入部(37),其将pH调整剂注入第一RO装置(31)处理得到的处理水;第二RO装置(32),其供给有注入了pH调整剂的处理水;紫外线氧化装置(33),其中,供给有第二RO装置(32)处理得到的处理水;以及离子交换装置(34),其中,供给有紫外线氧化装置(33)处理得到的处理水,注入部(37)与pH调整剂供给部(36)连接。

技术领域

本发明涉及纯水制造装置和纯水制造方法,特别涉及超纯水制造装置的一次纯水制造装置。

背景技术

通常,制造超纯水时,使用由预处理系统、一次纯水系统、二次纯水系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在以半导体器件为首的电子部件制造的清洗工序中,使用大量的超纯水。伴随半导体的微细化,要求半导体制造工序中使用的超纯水的进一步的高纯度化,特别期望降低硼浓度和总有机碳(TOC)。专利文献1公开了一种纯水制造装置,其串联配置有第一反渗透膜分离装置、碱添加装置、第二反渗透膜分离装置、紫外线氧化装置和电去离子装置。

现有技术文献]

专利文献

专利文献1:日本特开2004-283710号公报

发明内容

发明要解决的课题

专利文献1公开的纯水制造装置为了除去硼而具有电去离子装置。但是,在电去离子装置中,难以高效除去硼。

本发明的目的在于提供能够高效除去硼和有机物的纯水制造装置和纯水制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的由包含硼和有机物的被处理水制造纯水的纯水制造装置具备:第一反渗透膜分离装置,其中,供给有被处理水;pH调整剂的注入部,其中,将pH调整剂注入至第一反渗透膜分离装置处理得到的处理水;第二反渗透膜分离装置,其中,供给有注入pH调整剂的处理水;紫外线氧化装置,其中,供给有第二反渗透膜分离装置处理得到的处理水;以及离子交换装置,其中,供给有紫外线氧化装置处理得到的处理水,注入部与pH调整剂供给部连接。

本发明的由包含硼和有机物的被处理水制造纯水的纯水制造方法包括:依次将被处理水通水至第一反渗透膜分离装置、第二反渗透膜分离装置、紫外线氧化装置、再生型离子交换装置,在第一反渗透膜分离装置和第二反渗透膜分离装置之间将pH调整剂注入至被处理水。

发明效果

根据本发明,能够提供可高效除去硼和有机物的纯水制造装置和纯水制造方法。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式涉及的纯水制造装置的简要结构图。

具体实施方式

以下,参照附图对本发明的纯水制造装置和纯水制造方法的实施方式进行说明。图1表示本发明的一个实施方式涉及的纯水制造装置1的简要结构。纯水制造装置1由上游侧的预处理系统2和下游侧的一次纯水制造系统3构成,一次纯水制造系统3在其下游侧与二次纯水制造系统(未图示)连接。二次纯水制造系统也被称为子系统,由一次纯水制造系统3制造的纯水来制造超纯水。将由二次纯水制造系统制造的超纯水供给至使用点(未图示)。供给至纯水制造装置1的原水(以下,称为被处理水)含有硼和有机物。

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