[发明专利]多层电子组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111105806.3 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN114551094A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵珉贞;金昞建;吴由弘 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/012 | 分类号： | H01G4/012;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 何巨;薛丞丞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层交替地堆叠；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，
其中，所述内电极包括Cu和Ni，并且在所述内电极的距与所述介电层的界面5nm深的区域中的基于重量比的Cu/Ni的变异系数值为25.0％或更小。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极使用包含Ni粉末颗粒和Cu粉末颗粒的导电膏形成，Cu粉末颗粒的平均尺寸为120nm或更小。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述变异系数值为9.2％或更小。
4.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述Cu粉末颗粒的平均尺寸为50nm或更小。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极中的Cu含量在0.4wt％至6.0wt％的范围内。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni-Cu合金。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度为0.41μm或更小。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.41μm或更小。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件具有0.44mm或更小的长度和0.22mm或更小的宽度。
10.一种多层电子组件，包括：
内电极，与介电层交替地堆叠，所述内电极包括包含Cu和Ni的烧结的导电材料，在所述内电极中的一个内电极的距所述一个内电极与相邻介电层之间的界面5nm的深度处的Cu与Ni的重量比的变异系数为25.0％或更小。
11.一种制造根据权利要求1或10所述的多层电子组件的方法，所述方法包括：
堆叠其上印刷有用于内电极的导电膏的多个陶瓷生片；以及
烧结所述多个陶瓷生片来形成主体，
其中，用于内电极的导电膏包括Ni粉末颗粒和Cu粉末颗粒，Cu粉末颗粒的平均直径为120nm或更小。
12.根据权利要求11所述的方法，用于内电极的导电膏中的Cu粉末颗粒的平均尺寸为20nm、30nm、50nm、70nm或90nm。
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