[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统

说明书

一种半导体装置包括：衬底；衬底上的堆叠结构，并且堆叠结构包括层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件；第一分离区和第二分离区，其各自延伸穿过堆叠结构并在第一方向上延伸；第一上分离区，第一上分离区在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构的一部分；多个沟道结构，多个沟道结构在第一分离区与第二分离区之间并且延伸穿过堆叠结构；以及多个第一竖直结构，每个第一竖直结构延伸穿过第一分离区和第二分离区中的特定一个。第一分离区和第二分离区中的每一个在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度。每个第一竖直结构在第二方向上具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0123056的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。

背景技术

在需要数据存储的数据存储系统中，需要能够存储大容量数据的半导体装置。因此，正在研究增加半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为一种用于增加半导体装置的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元的半导体装置。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的可靠性的半导体装置。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种包括具有改善的可靠性的半导体装置的数据存储系统。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体装置包括：衬底；在所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件；第一分离区和第二分离区，所述第一分离区和所述第二分离区中的每一个延伸穿过所述堆叠结构并且在第一方向上延伸；第一上分离区，其在所述第一分离区与所述第二分离区之间并且延伸穿过所述堆叠结构的一部分；多个沟道结构，其在所述第一分离区与所述第二分离区之间并且延伸穿过所述堆叠结构；以及多个第一竖直结构，所述多个第一竖直结构中的每个第一竖直结构延伸穿过所述第一分离区和所述第二分离区中的特定一个，所述多个第一竖直结构共同延伸穿过所述第一分离区和所述第二分离区中的每一个，其中，所述第一分离区和所述第二分离区中的每一个在第二方向上具有第一宽度，所述第二方向垂直于所述第一方向，并且其中，所述多个第一竖直结构中的每一个在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体装置包括：衬底；在所述衬底上的堆叠结构，并且所述堆叠结构包括在与所述衬底的上表面垂直的方向上交替地堆叠的层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件；分离区，其延伸穿过所述堆叠结构并且还在第一方向上延伸；多个沟道结构，其延伸穿过所述堆叠结构；以及多个竖直结构，其延伸穿过所述堆叠结构，其中，所述多个竖直结构中的至少一个竖直结构延伸穿过所述分离区中的至少一个分离区。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种数据存储系统包括：半导体存储装置；以及控制器，其电连接到所述半导体存储装置并且被配置为控制所述半导体存储装置，其中，所述半导体储存装置包括：衬底；在所述衬底上的堆叠结构，并且所述堆叠结构包括在与所述衬底的上表面垂直的方向上交替地堆叠的层间绝缘层和栅电极的交替堆叠件；分离区，其延伸穿过所述堆叠结构并且还在第一方向上延伸；多个沟道结构，其延伸穿过所述堆叠结构；以及多个竖直结构，其延伸穿过所述堆叠结构，其中，所述多个竖直结构中的至少一个竖直结构延伸穿过所述分离区中的至少一个分离区。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述将更清楚地理解本发明构思的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1是示意性地示出根据一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图2是示意性地示出根据一些示例实施例的半导体装置的截面图。

图3是示意性地示出根据一些示例实施例的半导体装置的截面图。