[发明专利]基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳

说明书

本发明提供了一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳，属于高频高速陶瓷封装技术领域，基于HTCC技术的布线结构包括：下层陶瓷件；以及上层陶瓷件，与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔；其中，在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线，在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线，所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。本发明提供的基于HTCC技术的布线结构，相较于具有相同特性阻抗的埋层GCPW结构，中心导带线宽加宽，更加方便加工制造，减小工艺生产难度，且易于实现。

技术领域

本发明属于高频高速陶瓷封装技术领域，更具体地说，是涉及一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳。

背景技术

随着无线通讯技术的发展，微波毫米波电路及系统得到了广泛的应用，并向着更高频高速、高集成度、高复杂度、小型化的方向发展，因此，用于微波毫米波的封装外壳也需要提高要求。

对于高集成度的组件或系统内部，多个微波毫米波电路之间的复杂互联，会存在交叉现象，传统的平面传输线结构已经无法满足交叉布线需求，需基于HTCC(英文High-temperature co-fired ceramics的缩写，中文释义为高温共烧陶瓷)技术在陶瓷介质不同层间设计交叉互联的传输线，一般结构为表面GCPW(英文Grounded coplanar waveguide的缩写，中文释义为接地共面波导)-埋层GCPW-表面GCPW的过渡形式，并通过金属化过孔实现不同层间的互联。

但以上传输线结构以及金属化过孔实现的交叉互联传输线损耗较大，并且，随着频率的提升，埋层GCPW传输线中心导带线宽将相应地减小，甚至于超出工艺生产极限而无法实现。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳，旨在解决传统传输线结构以及金属化过孔实现的交叉互联传输线损耗较大，并且，随着频率的提升，埋层GCPW传输线中心导带线宽将相应地减小，甚至于超出工艺生产极限而无法实现的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

在第一方面，本发明提供一种基于HTCC技术的布线结构包括：下层陶瓷件；以及上层陶瓷件，与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔；其中，在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线，在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线，所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。

在一个可能的实现方式中，所述上层陶瓷件包括：顶墙；以及两个侧墙，分别连接于所述顶墙的两端，且两个所述侧墙均与所述下层陶瓷件的上表面连接，所述顶墙、所述侧墙及所述下层陶瓷件共同围合形成所述空气腔；

所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、两个所述侧墙的侧表面和所述顶墙的上表面共同形成有所述立式GCPW传输线。

在一个可能的实现方式中，两个所述侧墙均与所述顶墙垂直设置，所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线垂直交叉设置。

在一个可能的实现方式中，所述上层陶瓷件构成所述空气腔的表面为金属化处理表面。

在一个可能的实现方式中，所述平面GCPW传输线中的地线通过金属化过孔与所述立式GCPW传输线中的地线以及所述下层陶瓷件的下表面金属化地相连接。

在一个可能的实现方式中，所述平面GCPW传输线的表面、所述立式GCPW传输线的表面镀有镍金表层。