[发明专利]制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置

说明书

本发明提出了制备QLED器件的方法，QLED器件和显示装置，包括：提供基板，在基板一侧形成图案化层，在图案化层远离基板的一侧形成发光层，自发光层远离图案化层的一侧，对基板上的预设区域进行光照处理，令预设区域内的图案化层的溶解性发生改变，去除基板上非预设区域或预设区域内的图案化层和发光层，以获得QLED器件，其中，形成图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置。

背景技术

AMOLED被公认为最有希望取代LCD的下一代显示产品，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为了显示产品的重点发展方向，而高分辨的AMOLED产品很难同LCD相竞争。即便采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发制备有机发光层的工艺，所得到的显示面板的分辨率也是极其有限的。高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高等问题。而随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes,QLED)的研究日益深入，QLED器件已成为了高分辨率显示器件的未来趋势，利用量子点进行图案化设计，制备高分辨率QLED已经成为一项重要的议题。

因此，目前的制备QLED器件的方法、QLED器件及显示装置仍有待改进。

发明内容

本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

在本申请的一个方面，本发明提出了一种制备QLED器件的方法，包括：提供基板，在所述基板一侧形成图案化层，在所述图案化层远离所述基板的一侧形成发光层，自所述发光层远离所述图案化层的一侧，对所述基板上的预设区域进行光照处理，令所述预设区域内的所述图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上非预设区域或所述预设区域内的所述图案化层和所述发光层，以获得所述QLED器件，其中，形成所述图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。

根据本发明的实施例，在所述基板的一侧形成所述图案化层之前，进一步包括：在所述基板的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离基板的一侧形成所述图案化层。由此，可利用图案化层实现降低电子传输速率的效果，进一步提高器件性能。