[发明专利]一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法

权利要求书

1.一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法，其特征在于，在绝缘衬底表面构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入纳米粒子，所述纳米粒子均匀且不连续，所述纳米粒子体积分数占有机半导体薄膜体积的0.1%-3%。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括制备栅极导电电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜为多晶薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有机半导体薄膜是有机小分子半导体或有机聚合物半导体。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米粒子直径在0.01nm-100nm之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述纳米粒子包括金属导体粒子、有机及无机半导体粒子或绝缘体粒子中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括图案化制备源、漏电极。