[发明专利]体声波谐振器封装结构

说明书

本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器封装结构，包括：谐振器盖体、体声波谐振结构、谐振器载体；通过谐振器盖体上设置有第一凸点下金属化层、第二凸点下金属化层；在第一凸点下金属化层上设置有第一焊锡凸点；在第二凸点下金属化层上设置有第二焊锡凸点；谐振器载体包括牺牲层、截止边界层、衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需在硅衬底内形成第二空腔，如此衬底可以选择完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题。

技术领域

本申请涉及体声波谐振器技术领域，例如涉及一种体声波谐振器封装结构。

背景技术

随着通信技术的不断发展，对滤波器的要求越来越高，体声波谐振结构利用压电薄膜的压电效应，在上、下电极之间施加一个电信号，由于压电薄膜的压电效应会产生声信号，声信号在电极之间振荡，声波分为沿厚度方向的振动模式和横向振动模式，其中只有满足声波全反射条件的沿厚度方向的振动模式的声波才会被保留下来，横向振动模式的声波将被消耗，保留下来的声信号再转化为电信号输出。在使用过程中，需要通过谐振器盖体对体声波谐振结构和谐振器载体进行封装。

现有技术中，谐振器载体中的衬底通常采用硅来制作，并形成空腔，尽管硅衬底是高阻值的硅，但是在某些谐振器结构的硅衬底界面上还是会形成寄生导电沟道，进而由若干个这种谐振器结构组成的滤波器的性能也会受到影响。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供一种体声波谐振器封装结构，以能够抑制体声波谐振器的寄生导电沟道。

在一些实施例中，体声波谐振器封装结构包括：谐振器盖体，与体声波谐振结构的一侧连接，形成第一空腔；所述谐振器盖体上未与所述体声波谐振结构形成所述第一空腔的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；第二金属层位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述谐振器盖体的表面上；所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述体声波谐振结构；所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述体声波谐振结构；位于所述第一通孔外围的所述谐振器盖体的表面上的第一金属层上设置有第一凸点下金属化层；位于所述第二通孔外围的所述谐振器盖体的表面上的第二金属层上设置有第二凸点下金属化层；在所述第一凸点下金属化层上设置有第一焊锡凸点；在所述第二凸点下金属化层上设置有第二焊锡凸点；所述体声波谐振结构，另一侧与谐振器载体连接；所述谐振器载体，所述谐振器载体包括牺牲层、截止边界层和衬底；所述截止边界层位于所述牺牲层和所述衬底之间；所述截止边界层形成位于所述牺牲层内的第一凸起和第二凸起，所述谐振器载体通过所述第一凸起、所述第二凸起与所述体声波谐振结构围合形成第二空腔。

本公开实施例提供的体声波谐振器封装结构，可以实现以下技术效果：

通过谐振器盖体上设置有第一通孔、第二通孔，第一金属层、第二金属层，位于第一通孔外围的谐振器盖体的表面上的第一金属层上设置有第一凸点下金属化层；位于第二通孔外围的谐振器盖体的表面上的第二金属层上设置有第二凸点下金属化层；在第一凸点下金属化层上设置有第一焊锡凸点；在第二凸点下金属化层上设置有第二焊锡凸点；谐振器载体包括牺牲层、截止边界层、衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，如此衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题，进而由若干个该体声波谐振器构成的滤波器的性能得到提升。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。