[发明专利]一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜

说明书

本发明公开了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，包括：导电薄膜本体和基材，所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层，所述银膜层设置在所述底膜层上，所述保护层设置在所述银膜层上。本发明提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，该抗氧化的低方阻透明导电薄膜包括导电薄膜本体和基材，该导电薄膜本体采用复合膜层结构，包括底膜层、银膜层和保护层，银膜层通过粘胶层固定在底膜层上，保护层通过粘胶层固定在银膜层上，通过上述银膜层和保护层的设计，使得该导电薄膜本体具有低方阻高透明度、不龟裂、抗手印氧化、耐候性能好等优点。

技术领域

本发明涉及导电薄膜技术领域，更具体地说，本发明涉及一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜。

背景技术

近年来，透明氧化物导电薄膜，如ITO、AZO、IZO、FTO、ATO等广泛应用于光电器件中，如大尺寸触摸屏、透明电热膜、透明电磁屏蔽、电致变色器件、太阳能电池、有机发光二极管和薄膜晶体管等。

常规用于透明导电膜一般是在PET、PC或PI等柔性基材表面，采用磁控溅射的方式镀ITO(氧化铟锡)薄膜镀层的方案，该方案的缺点是很难做到方阻低于20欧姆/口以下(尤其做不到10欧姆/口以下)，其弯曲时镀层易龟裂且透光率较低。因此，有必要提出一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为至少部分地解决上述问题，本发明提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，包括：导电薄膜本体和基材，所述导电薄膜本体设置在基材上，所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层，所述银膜层设置在所述底膜层上，所述保护层设置在所述银膜层上。

根据本发明实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜，所述底膜层11的厚度为10-100nm，所述银膜层12的厚度1-20nm，所述保护层13的厚度为50-200nm。

根据本发明实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜，还包括：两个离型复合层，其中一个所述离型复合层设置在所述导电薄膜本体的顶部，另一个所述离型复合层设置在所述基材的底部，所述离型复合层包括耐磨复合层和防水层，所述防水层通过粘胶层与银膜层连接，所述耐磨复合层设置在所述防水层的上方，所述耐磨复合层包括第一耐磨层、第二耐磨层和第三耐磨层，所述第三耐磨层与所述防水层的表面相互接触，所述第一耐磨层、第二耐磨层依次设置第三耐磨层的上方。

根据本发明实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜，上方所述离型复合层上设置有多个卡凸体，下方的所述离型复合层上设置有多个卡凹体，所述卡凸体与所述卡凹体相对应。

根据本发明实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜，所述底膜层、银膜层之间设置有透明绝缘氧化物层、第一抗氧化层，所述银膜层与保护层之间设置有第二抗氧化层、透明导电氧化物层。

根据本发明实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜，还包括：承载座，所述承载座上设置有承载槽，所述导电薄膜本体设置在所述承载槽内，并且所述导电薄膜本体的两端设置有第一挡板，所述承载座的端部设置有内过孔，所述内过孔内设置有卡接部，所述卡接部抵顶所述第一挡板。