[发明专利]一种可低功耗基准电源的节能型MOS管在审
申请号: | 202111113470.5 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN113972281A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 林伟龙;林伟生 | 申请(专利权)人: | 深圳市昌豪微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/467 |
代理公司: | 深圳市港湾知识产权代理有限公司 44258 | 代理人: | 微嘉 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 基准 电源 节能型 mos | ||
本发明公开一种可低功耗基准电源的节能型MOS管,该可低功耗基准电源的节能型MOS管包括壳体,所述壳体的内腔固定安装有PN板,所述壳体的内腔前部固定连接有基准机构,所述基准机构包括氧化板,所述氧化板的内侧固定连接有电磁环。该可低功耗基准电源的节能型MOS管,通过设备启停时利用氧化板的节电容特性运行降温机制,使得因需要而频繁启停的设备能够更好的散热且便于电源的节能式基准,配合导流柱通电受磁场影响不断位移,导致磁性滤块配合抵接弹簧高频振动,再配合玻璃块的静电吸附机制,继而可使得输入壳体内部降温空气的清洁,从而有效的提升了基准电源时的节能效果、保证了基准电源的稳定性能。
技术领域
本发明涉及OMS管技术领域,具体为一种可低功耗基准电源的节能型MOS管。
背景技术
目前,可用于开关控制的MOS管在使用过程中,由于其导通电路的瞬间电压及电流均较大,因此其所导致的功耗也较大,而针对需要利用MOS管进行频繁启停的设备,MOS管则也需要频繁的高功率运行,这就导致其内部的热量会高于正常的积聚,且影响其正常的运行机制,而当其无法处于良好的散热状态时,其则无法对电流进行快速基准,进而又进一步增大了设备的能耗。
针对现有技术的不足,本发明提供了一种可低功耗基准电源的节能型MOS管,具备有效的提升了基准电源时的节能效果、保证了基准电源的稳定性能的优点,解决了一般的MOS管在使用过程中,存在基准电源时的节能效果差、基准电源的稳定性能低的问题。
发明内容
为实现上述有效的提升了基准电源时的节能效果、保证了基准电源的稳定性能的目的,本发明提供如下技术方案:一种可低功耗基准电源的节能型MOS管,包括壳体,所述壳体的内腔固定安装有PN板,所述壳体的内腔前部固定连接有基准机构,所述基准机构包括氧化板、电磁环32、伸缩筒33等等,所述氧化板的内侧固定连接有电磁环,所述PN板的边缘固定连接有伸缩筒,所述伸缩筒靠近电磁环的一侧滑动连接有磁性插盘,所述PN板的外侧固定安装有电气框,所述电气框的内腔滑动连接有对称的导流块,所述导流块的外侧固定连接有导流柱,所述电气框的内腔中部滑动连接有延伸至导流块上的弹性柱塞。
可选地,所述氧化板的内侧固定连接有电极筒,所述电极筒与磁性插盘相对应,电极筒处于电磁环的内腔,初始磁性插盘在伸缩筒的弹力作用下与电极筒电性对接。
可选地,所述电磁环通电后的磁极与所述磁性插盘邻近的面的磁极相同,二者互相排斥。
可选地,所述导流块远离PN板的一侧固定连接有电触头且电气框的内壁固定连接有与电触头适配的导片,从而使得电触头位移距离较大时,即会脱离与导片的连接。
可选地,所述导流柱的允许电流通过方向为由外向里,从而根据右手螺旋定则当两侧的导流柱均通入方向由外向内的电流时,二者产生的磁场即会导致互相间吸引位移。
可选地,所述弹性柱塞和所述导流块之间贯通连接,且所述导流块朝向PN板的一侧开设有单向输出阀槽,所述弹性柱塞的内部开设有与所述导流块对应的贯通槽,从而使得导流块做推动弹性柱塞的运动时,可将电气框内腔的空气压出,沿壳体内部不同区域进行喷射降温,此外导流块远离PN板的一侧固定粘接有延伸至玻璃条上的丝绸层,从而便于玻璃条与其摩擦而产生静电。
可选地,还包括抑尘机构,所述抑尘机构固定连接在电气框侧壁,所述抑尘机构包括输入管,所述输入管的内腔滑动连接有磁性滤块,所述磁性滤块和输入管的内壁之间固定连接有抵接弹簧,所述输入管的内壁固定连接有玻璃块,所述电气框的壁腔固定连接有延伸至玻璃块上的玻璃条。
可选地,所述输入管上开设有延伸至电气框的内腔的单向输入阀槽,从而便于为电气框补充外界低温气体。
可选地,所述玻璃块(44)和所述磁性滤块(42)之间滑动连接,从而便于磁性滤块(42)运动时与玻璃块(44)产生摩擦。
可选地,所述玻璃条的导电系数小于玻璃块的导电系数,从而使得玻璃条上产生静电时可迅速导向玻璃块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市昌豪微电子有限公司,未经深圳市昌豪微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111113470.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类