[发明专利]成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法

说明书

本发明提供一种抑制基板与掩模的对准的精度的降低的成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：腔室，其将内部保持为真空；吸附板，其设置在腔室的内部，吸附基板；掩模台，其设置在腔室的内部，载置掩模；以及对准部件，其进行吸附于吸附板的基板与载置于掩模台的掩模的对准。另外，成膜装置具备调整部件，所述调整部件在腔室的内部保持为真空的状态下，调整吸附板与掩模台的相对倾斜。

技术领域

本发明涉及成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法。

背景技术

在有机EL显示器等的制造中，使用掩模在基板上对蒸镀物质进行成膜。作为成膜的预处理，进行掩模与基板的对准，使两者重叠。在专利文献1中公开了在静电吸盘等吸附板吸附有基板的状态下，使基板与掩模接近来进行对准。另外，在专利文献2中公开了在使支承于基板支承部的基板吸附于静电吸盘的过程中，为了减少基板的挠曲的影响而使多个基板支承部的高度不同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019－099910号公报

专利文献2：日本特开2019－102802号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述现有技术中，基板与掩模的对准是在保持为真空的腔室的内部进行的。但是，当使腔室的内部为真空状态时，由于腔室外部的压力(大气压)与腔室内部的压力之差而在腔室产生形变，由此，有时在吸附基板的吸附板与载置掩模的掩模台之间发生相对倾斜。该相对倾斜有时会对对准的精度造成影响。

本发明提供一种抑制基板与掩模的对准的精度的降低的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一方面，提供一种成膜装置，所述成膜装置具备：

腔室，其将内部保持为真空；

吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；

掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及

对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，

其特征在于，

所述成膜装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。

另外，根据本发明的其他方面，提供一种调整装置，所述调整装置安装于成膜装置，所述成膜装置包括：

腔室，其将内部保持为真空；

吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；

掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及

对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，

其特征在于，

所述调整装置具备调整部件，所述调整部件在所述腔室的内部保持为真空的状态下，调整所述吸附板与所述掩模台的相对倾斜。

另外，根据本发明的其他方面，提供一种调整方法，所述调整方法是成膜装置的调整方法，所述成膜装置具备：

腔室，其将内部保持为真空；

吸附板，其设置在所述腔室的内部，吸附基板；

掩模台，其设置在所述腔室的内部，载置掩模；以及

对准部件，其进行吸附于所述吸附板的所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准，