[发明专利]一种超薄层羟镁铝石材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种超薄层羟镁铝石材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将氧化镁、氢氧化铝和去离子水加入到研磨设备中，研磨均匀，得混合物；所述氧化镁、氢氧化铝和去离子水的摩尔比范围为3:1:10~40；所述研磨设备包括高能行星球磨机和罐磨机中的一种，其使用的磨球包括玛瑙球、尼龙球和氧化锆球中的任一种；所述磨球的总质量为氧化镁和氢氧化铝质量和的10~80倍；

S2、将步骤S1得到的混合物倒入一定量的去离子水中，得到悬浊液；

S3、将步骤S2得到的悬浊液进行晶化，经离心、洗涤后，得沉积物；所述晶化的温度为60~80℃，晶化的时间为4~6h；所述洗涤使用的溶剂为甲酰胺；

S4、将步骤S3得到的沉积物，分散在溶剂中，得分散液；所述溶剂为甲酰胺；所述分散液中的固体物浓度范围为10~20g/L；

S5、向步骤S4得到的分散液中通入N₂，并进行超声、常温震荡、离心和干燥，制得超薄层羟镁铝石材料；所述超声的时间为30min~40min；常温震荡的时间为24h~36h；干燥的温度为60-80℃；

所述超薄层羟镁铝石材料为层状双羟基复合金属氢氧化物，其层间仅含有羟基，片层厚度为10nm~20nm，化学结构式为Mg₆Al₂(OH)₁₈。

2.一种超薄层羟镁铝石材料，其特征在于：采用如权利要求1所述的制备方法制得，所述超薄层羟镁铝石材料为层状双羟基复合金属氢氧化物，其层间仅含有羟基，片层厚度为10nm~20nm，化学结构式为Mg₆Al₂(OH)₁₈。

3.一种如权利要求2所述的超薄层羟镁铝石材料的应用，其特征在于：将超薄层羟镁铝石材料应用于吸附去除Cr(Ⅵ)。