[发明专利]一种显示基板和显示装置在审
申请号: | 202111114089.0 | 申请日: | 2021-09-23 |
公开(公告)号: | CN113838902A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 张伟;郭钟旭;郭建;李杰;马彬彬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板和显示装置。该显示基板包括基底;像素电路;位于基底上方;像素电路包括充电子电路和发光子电路;充电子电路连接数据信号线;发光子电路连接电源信号线;还包括第一降电阻结构和/或第二降电阻结构;位于像素电路与基底之间;第一降电阻结构连接充电子电路,并与数据信号线并联连接;第二降电阻结构连接发光子电路,并与电源信号线并联连接。该显示基板,能使数据信号线的电阻降低,使数据信号线本身的负载降低;提升充电子电路的充电效率;还能使电源信号线本身的负载降低;电源信号线本身的负载降低能够降低电源信号在电源信号线上传输时的损耗;提升显示基板的显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
目前,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示产品越来越受到人们的欢迎。随着人们对OLED显示产品显示效果的追求,以及不同领域的不同需求,OLED显示产品的刷新率越来越高,从最初的60HZ发展到现在的90HZ和120HZ甚至更高,然而高的刷新率面临的一个重要问题是,OLED显示产品内OLED发光器件的充电率不足,导致显示效果差,无法满足客户要求;高的刷新率面临的另外一个问题是,OLED显示产品屏幕(如OLED手机屏)越做越大,越大的屏幕内金属走线的负载就越大,导致显示图像模糊、图像条纹等不良,显示效果不理想。
导致上述两个问题的一个主要因素就是像素电路的走线电阻,像素电路走线电阻越小,走线负载越小,充电效率也就越高。
OLED像素电路是由多个薄膜晶体管以及电容等器件构成的驱动电路,对于采用低温多晶硅材料有源层的OLED像素电路,目前主要通过使有源层的沟道区以外的部分与屏幕内较长的金属走线并联,以使有源层的沟道区以外的部分可以作为金属走线的一部分,从而使金属走线的截面积增大,走线电阻降低。但有源层沟道区以外的部分作为金属走线的一部分受到其本身材料特性的限制,电阻比较大,是普通金属导线的上万倍;尽管在实际应用中通过对作为金属走线一部分的有源层进行重掺杂以降低其作为导线的电阻,但是效果依然有限,而且掺杂浓度越大,反而会降低薄膜晶体管器件的特性。
发明内容
本发明针对上述OLED显示屏幕内金属走线电阻较大导致走线负载较大,以致OLED显示产品显示效果不佳的问题,提供一种显示基板和显示装置。
本发明提供一种显示基板,包括基底;
像素电路;位于所述基底上方;
所述像素电路包括充电子电路和发光子电路;所述充电子电路连接数据信号线;所述发光子电路连接电源信号线;
还包括第一降电阻结构和/或第二降电阻结构;位于所述像素电路与所述基底之间;
所述第一降电阻结构连接所述充电子电路,并与所述数据信号线并联连接;
所述第二降电阻结构连接所述发光子电路,并与所述电源信号线并联连接。
可选地,所述像素电路还包括复位子电路;所述复位子电路连接复位电源线;
所述显示基板还包括第三降电阻结构,所述第三降电阻结构连接所述复位子电路,并与所述复位电源线并联连接。
可选地,所述充电子电路包括多个第一开关管;所述发光子电路包括多个第二开关管;所述复位子电路包括多个第三开关管;
所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管分别包括栅极、至少一个绝缘层、有源层、第一极和第二极;
所述第一开关管的第一极或第二极直接或间接连接所述数据信号线;
所述第二开关管的第一极或第二极直接或间接连接所述电源信号线;
所述第三开关管的第一极或第二极直接或间接连接所述复位电源线;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的