[发明专利]一种拼接曝光方法、装置及系统

权利要求书

1.一种投影曝光方法，其特征在于，包括：

将硅片或基板设置为包含第1个至第N个曝光场的待曝光对象；

光源通过照明系统形成照明光；曝光时，照明光通过掩模版的视场图案，经物镜系统将掩模视场图案投影至硅片或基板当前曝光场对应的曝光区域，在光刻胶材料上进行光刻，以形成曝光场图案；

通过所述照明光将所述掩模版的视场图案轮换投影至曝光场对应的曝光区域，以曝光完成硅片或基板上所有第1至第N个曝光图案，N为大于等于1的自然数。

2.如权利要求1所述的投影光刻方法，其特征在于，还包括：将掩模版的视场图案设置为第1个至第M个拼接视场图案，M为大于1的自然数；

所述通过所述照明光将所述掩模版的视场图案轮换投影至曝光场对应的曝光区域包括：

通过所述照明光将所述掩模版的第1至第M个拼接视场图案按第一预设投影顺序轮换投影至曝光场对应的曝光区域，针对掩模版的第1至第M个拼接视场图案中的当前拼接视场图案，逐一曝光至第1个至第N个曝光场的对应曝光区域，然后以所述第一预设投影顺序切换到下一个拼接视场图案，并在第1个至第N个曝光场对应区域逐一拼接曝光。

3.如权利要求1所述的投影光刻方法，其特征在于，还包括：将掩模版的视场图案设置为第1个至第M个拼接视场图案，M为大于1的自然数；

所述通过所述照明光将所述掩模版的视场图案轮换投影至曝光场对应的曝光区域包括：

通过所述照明光将所述掩模版的第1个至第M个拼接视场图案轮换投影至当前曝光场对应的曝光区域，以曝光完成硅片或基板上当前曝光场；

将所述当前曝光场按第二预设切换顺序切换至下一个曝光场；并继续将所述掩模版的第1个至第M个拼接视场图案轮换投影至所述下一个曝光场对应的曝光区域。

4.如权利要求2或3所述的投影光刻方法，其特征在于，每个拼接视场图案包括若干拼接视场定位角，所述曝光图案包括若干与对应拼接视场定位角具有成像关系的拼接曝光场定位角；所述通过所述照明光将所述掩模版的视场图案轮换投影至曝光场对应的曝光区域包括：

将掩模版当前拼接视场图案的图形中心线运动至曝光镜头的扫描方向中心线位置；

基于所述拼接视场定位角与拼接曝光场定位角的成像关系，将当前拼接视场图案曝光到对应硅片或基板曝光区域。

5.如权利要求4所述的投影光刻方法，其特征在于，所述拼接视场图案为矩形图案，具有四个拼接视场定位角；所述曝光图案具有四个拼接曝光场定位角，所述拼接曝光场定位角与拼接视场定位角在X轴和Y轴上位置相反。

6.如权利要求2或3所述的投影光刻方法，其特征在于，适于投影光刻所述拼接视场图案的曝光场为矩形且具有可两两拼接的对称边；所述投影光刻方法还包括：

采用所述曝光场的对称边实现拼接曝光。

7.如权利要求6所述的投影光刻方法，其特征在于，所述采用所述曝光场的对称边实现拼接曝光包括：

预设曝光镜头的扫描曝光方向；

根据所述扫描曝光方向及所述曝光场的形状确定下一个拼接曝光场位置以拼接曝光。

8.如权利要求7所述的投影光刻方法，其特征在于，所述预设曝光镜头的扫描曝光方向包括：

基于所述曝光镜头的曝光静态视场形状预设曝光镜头的扫描曝光方向；所述曝光静态视场形状具有可拼接的对称斜边，所述曝光静态视场形状为六边形、梯形、三角形或菱形。

9.如权利要求1至3任一项所述的投影光刻方法，其特征在于，还包括：对当前曝光镜头曝光静态视场的非曝光区域通过掩模版铬边遮挡。