[发明专利]一种InGaN掺杂性能的仿真方法在审
| 申请号： | 202111114854.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113919143A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 单恒升;刘胜威;梅云俭;徐超明;郝晓东;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 掺杂 性能 仿真 方法 | ||
1.一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，包括：
构建GaN晶体模型；
对所述GaN晶体模型的原胞进行扩建，形成超胞；
对所述超胞中的Ga原子使用In原子在不同位置上进行替换，以对所述超胞进行掺杂；
对掺杂后的所述超胞进行优化；
对优化后的所述超胞进行性质模拟，获得In原子掺杂下的InGaN合金的特性数据文件；
对所述特性数据文件进行分析，获得InGaN合金材料的性能数据。
2.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述构建GaN晶体模型，包括：
利用Materials Studio软件构建正交相的所述GaN晶体模型。
3.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，对所述GaN晶体模型的原胞进行扩建，形成超胞后，所述方法还包括：
利用CASTEP模块对所述超胞进行优化，获得能量最低且处于稳定状态下的所述超胞。
4.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述对所述超胞中的Ga原子使用In原子在不同位置上进行替换，以对所述超胞进行掺杂，包括：
对所述超胞中的Ga原子进行相同浓度不同位置的In原子替换，实现对所述超胞的掺杂。
5.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述对掺杂后的所述超胞进行优化，包括：
对掺杂后的所述超胞使用CASTEP模块进行结构优化和晶胞优化，获得能量最低且处于稳定状态的所述超胞。
6.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述对优化后的所述超胞进行性质模拟，获得In原子掺杂下的InGaN合金的特性数据文件，包括：
利用CASTEP模块对优化后的所述超胞进行性质模拟，获得所述特性数据文件。
7.根据权利要求6所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述特性数据文件包括In原子掺杂下的InGaN合金的能带结构、分态密度、弹性模量和热力学性质的特性数据文件。
8.根据权利要求1所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述对所述特性数据文件进行分析，获得InGaN合金材料的性能数据，包括：
利用CASTEP模块对所述特性数据文件进行分析，获得InGaN合金材料的性能数据。
9.根据权利要求8所述的一种InGaN掺杂性能的仿真方法，其特征在于，所述性能数据包括能带图、DOS图、PDOS图、热力学性质曲线和自由能曲线。
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