[发明专利]光学半导体设备和半导体发光设备

说明书

一种光学半导体设备，包括:具有突起的半导体基板，该突起形成以条纹形状沿第一方向延伸的台面条纹结构的下端部分；在突起上以条纹形状沿第一方向延伸的多量子阱层，其中多量子阱层形成台面条纹结构的中间部分；在中间部分上以条纹形状沿第一方向延伸的半导体层，其中半导体层形成台面条纹结构的上端部分；以及半绝缘半导体层，其在垂直于第一方向的第二方向上在两侧与台面条纹结构的侧表面接触。光学半导体设备可以包括在半导体基板表面上的第一电极和/或在台面条纹结构的上端表面上的第二电极。

技术领域

本公开涉及光学半导体设备和半导体发光设备。

背景技术

随着通信设备的广泛使用，例如经由互联网通信的移动设备，可能需要光模块具有更高的速度和更高的容量。电吸收(EA)调制器可用于调制从振荡器(如半导体激光器)发射的连续光。在一些情况下，EA调制器具有掩埋的异质结构和/或利用导线向EA调制器传输电信号或从EA调制器传输电信号。

为了改善EA调制器的高频特性，应尽量减小与EA调制器相关的寄生电容。因此，较大厚度的掩埋异质结构可能是有效的，但是其效果可能是有限的。

发明内容

一种光学半导体设备，包括:半导体基板，具有突起，其中所述突起形成以条纹形状沿第一方向延伸的台面条纹结构的下端部分；多量子阱层，在突起上以条纹形状沿第一方向延伸，其中多量子阱层形成台面条纹结构的中间部分；半导体层，在中间部分上以条纹形状沿第一方向延伸，其中半导体层形成台面条纹结构的上端部分；半绝缘半导体层，沿垂直于第一方向的第二方向在两侧与台面条纹结构的侧表面接触；第一电极，在半导体基板的与所述突起相对的表面上；第二电极，包括在台面条纹结构的上端面上的台面电极，其中第二电极包括从台面电极沿第二方向延伸的引出电极，其中所述第二电极包括连接到所述引出电极的衬垫电极；和金属膜，该金属膜包括第一部分，该第一部分电连接到半导体基板的上表面，在第二方向上邻近所述突起，并且从半绝缘半导体层暴露，其中所述金属膜包括第二部分，所述第二部分定位为邻近所述衬垫电极但是不与所述衬垫电极接触，并且与所述第一部分的至少一部分连续集成。

一种半导体发光设备，包括光学半导体设备和其上安装有光学半导体设备的载体。

附图说明

图1是这里描述的示例光学半导体的平面图。

图2是图1所示的示例光学半导体设备的截面图。

图3是图1所示的示例光学半导体设备的III-III截面图。

图4是图1所示的示例性光学半导体设备的截面图。

图5是图1所示的示例光学半导体设备的V-V线截面图。

图6是图1所示的示例光学半导体设备的截面图。

图7是这里描述的示例半导体发光设备的平面图。

图8是示例光学半导体设备的截面视图。

图9是示例光学半导体设备的平面图。

图10是图9所示的示例光学半导体设备的X-X截面图。

图11是图9所示的示例光学半导体设备的XI-XI截面图。

图12是本文描述的示例光学半导体设备的平面图。

图13是图12所示的示例性光学半导体设备的XIII-XIII截面图。

图14是图12所示的示例性光学半导体设备的XIV-XIV截面图。

图15是本文描述的示例半导体发光设备的平面图。

图16是本文描述的示例光学半导体设备的平面图。

图17是图16所示的示例性光学半导体设备的XVII-XVII截面图。