[发明专利]一种基于耦合电容技术的环网柜局部放电的检测方法

权利要求书

1.一种基于耦合电容技术的环网柜局部放电的检测方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：低频电压检测：

A1：将示波器与环网柜外表面的三相核相孔相连接，开启示波器并读取示波器的示数，对三相核相孔的交流电压进行检测；

A2：将示波器所显示的三相核相孔的交流电压与三相核相孔的交流电压的正常值范围进行对比，判断环网柜的三相核相孔交流电压值是否正常；

A3：若该环网柜的三相核相孔交流电压值正常，则通过示波器对下一个环网柜的三相核相孔的交流电压进行检测，若该环网柜的三相核相孔交流电压值异常，则将示波器示数代入公式可知，主分压电容绝缘材料介电常数发生异常；

A4：根据A3步骤所得出的结论半段环网柜中耦合电容绝缘性能是否达标；S2：高频脉冲检测：

A1：将与局放阻抗及频率都匹配的耦合传感器插入环网柜外表面的三相核相孔的内部；

A2：通过与局放阻抗及频率都匹配的耦合传感器配套的示波器观察三相核相孔的内部是否放电信号；

A3：若该环网柜的三相核相孔内部无放电信号，则通过局放阻抗及频率都匹配的耦合传感器对下一个环网柜的三相核相孔进行检测，若该环网柜的三相核相孔内部有放电信号，将示波器检测的放电信号与放电频率参数进行对比；

A4：可以根据A3步骤中对比的信号幅值来判断内部放电信号的强弱。

2.根据权利要求1所述的一种基于耦合电容技术的环网柜局部放电的检测方法，其特征在于：所述S1步骤中的A2步骤中三相核相孔的交流电压的正常值范围为30-60V。

3.根据权利要求1所述的一种基于耦合电容技术的环网柜局部放电的检测方法，其特征在于：所述S2步骤中A3步骤中放电频率参数为300-1500MHz。

4.根据权利要求1所述的一种基于耦合电容技术的环网柜局部放电的检测方法，其特征在于：所述S1步骤中A3步骤中的介电常数跟材料绝缘性能有关，且介电常数的参考值为：环氧树脂：3-4，空气：1.00585，水：70-80。