[发明专利]弯曲晶圆的清洗液及清洗方法

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的清洗液及清洗方法。其中方法包括将晶圆经上料区上料；将晶圆从上料区置于第一清洗槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面进行刻蚀清洗；将晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；将晶圆置于第二清洗槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面再次进行刻蚀清洗；将晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；将晶圆置于氢氟酸槽，晶圆浸入氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；将晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；将晶圆经下料区下料，完成晶圆的清洗。本发明极其适用于翘曲或弯曲的晶圆的清洗，既能加快刻蚀速度，又具有成本低廉的优点。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的清洗液及清洗方法。

背景技术

圆晶是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为圆晶。圆晶是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了圆晶。

晶圆加工中一般包括如下步骤，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

晶圆在清洗时的清洗液由于温度较低，往往导致刻蚀缓慢，产能较低。且现有的清洗液无法满足对于翘曲或弯曲的晶圆清洗。另外，翘曲晶圆刻蚀速率，根据产品的大小、制程的不同步骤，随产品设计人员的思路而变化，使翘曲度没有规则性。而用干法刻蚀比较难掌握均匀性，致使干法刻蚀无法完成。

发明内容

本发明针对现有的清洗液无法满足翘曲或弯曲的晶圆清洗要求的技术问题，目的在于提供一种弯曲晶圆的清洗液及清洗方法。

一种弯曲晶圆的清洗液，包括混合液，所述混合液包括硝酸和氢氟酸，还包括催化剂，所述催化剂为硼酸或乙酸。

所述催化剂选用硼酸，则所述硝酸、所述氢氟酸和所述硼酸的质量配比为5-7：2-4：0.5-1.5。

优选，所述硝酸、所述氢氟酸和所述硼酸的质量配比为6：3：1。

所述催化剂选用乙酸，则所述硝酸、所述氢氟酸和所述乙酸的质量配比为3-5：3-5：1-3。

优选，所述硝酸、所述氢氟酸和所述乙酸的质量配比为4：4：2。

所述硝酸的摩尔浓度为55％-65％，优选65％；

所述氢氟酸的摩尔浓度为48％-49％，优选48.5％；

所述硼酸的摩尔浓度为2％-3％，优选2.8％；

所述乙酸的摩尔浓度为33％-37％，优选33％。

本发明采用上述配比应用于翘曲或弯曲的晶圆槽式化学刻蚀清洗中，既能加快刻蚀速度，又具有成本低廉的优点。采用上述配比的清洗液，还具有刻蚀时快速向下刻蚀，能得到U字型结构的刻蚀结构，且不容易电击穿。

一种弯曲晶圆的清洗方法，包括如下步骤：

1)将晶圆经上料区上料；

2)将所述晶圆从上料区置于第一清洗槽内，所述第一清洗槽内含有所述混合液，所述晶圆浸入所述混合液中，在密闭环境下，以第一预设温度保持第一预设时间，对所述晶圆进行刻蚀清洗；

3)将所述晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；

4)将所述晶圆置于第二清洗槽内，所述第二清洗槽内含有所述混合液，所述晶圆浸入所述混合液中，在密闭环境下，以第二预设温度保持第二预设时间，对所述晶圆的背面再次进行刻蚀清洗；

5)将所述晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；