[发明专利]跨阻放大器及光接收模组有效
申请号: | 202111118105.3 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN113572434B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 刘盛富;杨超;刘筱伟;尹杰;刘森 | 申请(专利权)人: | 微龛(广州)半导体有限公司 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H04B10/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 施婷婷 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 接收 模组 | ||
1.一种跨阻放大器,其特征在于,所述跨阻放大器至少包括:
输入电感,放大模块及反馈模块;其中,
所述输入电感的第一端作为所述跨阻放大器的光电流输入端,第二端连接所述放大模块的输入端;
所述反馈模块的一端连接所述放大模块的输出端,另一端连接所述输入电感的第一端。
2.根据权利要求1所述的跨阻放大器,其特征在于:所述放大模块为共源共栅结构。
3.根据权利要求2所述的跨阻放大器,其特征在于:所述放大模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、负载及电流源;
所述第一NMOS管的源极接地、栅极作为所述放大模块的输入端、漏极连接所述第二NMOS管的源极;
所述第二NMOS管的栅极接收一预设电压,漏极作为所述放大模块的输出端并经由所述负载连接至电源电压;
所述第三NMOS管的漏极连接所述电源电压,栅极连接所述放大模块的输出端,源极经由所述电流源接地。
4.根据权利要求3所述的跨阻放大器,其特征在于:所述负载包括串联的电阻及电感。
5.一种光接收模组,其特征在于,所述光接收模组至少包括:
光电探测器及如权利要求1-4任意一项所述的跨阻放大器;
所述光电探测器的一端接收偏置电压,另一端连接所述跨阻放大器的光电流输入端。
6.根据权利要求5所述的光接收模组,其特征在于:所述光电探测器包括光电二极管,所述光电二极管的阴极连接所述偏置电压,所述光电二极管的阳极连接所述跨阻放大器的光电流输入端。
7.根据权利要求6所述的光接收模组,其特征在于:所述光电二极管包括雪崩光电二极管。
8.根据权利要求5-7任意一项所述的光接收模组,其特征在于:所述偏置电压与所述光电探测器之间还设置有滤波电路。
9.根据权利要求5-7任意一项所述的光接收模组,其特征在于:所述跨阻放大器的总等效输入电容满足:
;
其中,Ctol_new为所述跨阻放大器的总等效输入电容,Cpd为所述光电探测器的节电容,L为所述跨阻放大器中输入电感的电感值,Cin为所述跨阻放大器中放大模块的等效输入电容。
10.根据权利要求9所述的光接收模组,其特征在于:所述光接收模组的带宽满足:
;
其中,f3dB_new为所述光接收模组的-3dB带宽,Zin为所述放大模块的输入阻抗,Rf为所述跨阻放大器中反馈模块的跨阻增益,A0为所述放大模块的增益。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微龛(广州)半导体有限公司,未经微龛(广州)半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111118105.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。