[发明专利]一种MOS管分流关断的可控硅开关电路

权利要求书

1.一种MOS管分流关断的可控硅开关电路，包括可控硅和MOS管，其特征是：在可控硅的阳极、阴极两端并联MOS管，可控硅作为开关器件承受开关电路开通时容性负载的高峰值电流，并联MOS管延迟开关短接和关断可控硅；将两路脉冲信号输入到开关电路两个控制单元中，其中一路脉冲延迟于另一路，分别控制可控硅的开关和并联MOS管的延迟开关。

2.根据权利要求1所述的可控硅开关电路，其特征是：所述控制单元由开关电路控制芯片组成；该控制单元通过脉冲输入信号和脉冲输出信号控制开关晶体管的开关，其中：

脉冲输入信号分为两路，其中一路经RC电路延迟后，再输入到脉冲整形电路整形产生延迟脉冲，控制可控硅并联MOS管的开关，实现对可控硅短接和分流的目的；

所述脉冲输出信号将经RC电路延迟并整形后的延迟脉冲控制可控硅并联的MOS管，使MOS管延迟导通、截止，实现对可控硅的分流和关断。

3.根据权利要求1所述的可控硅开关电路，其特征是：所述容性负载为电致发光屏。

4.根据权利要求1所述的可控硅开关电路，其特征是：所述脉冲整形电路为图腾柱结构或MOS管驱动芯片，其工作电压由控制单元的开关电路控制芯片输出脉冲整流后提供。