[发明专利]应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路

权利要求书

1.应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路，其特征在于，包括多级电容电荷缓存电路，所述的多级电容电荷缓存电路与功率MOS管Q1栅极电连接并用于在功率MOS管Q1栅极的电容放电时吸收电荷进行缓存，多级电容电荷缓存电路还用于在功率MOS管Q1栅极的电容需要电荷时输出缓存的电荷；电荷补充电路与功率MOS管Q1栅极电连接并用于在功率MOS管Q1栅极的电容需要电荷时输出补充的电荷；

所述的多级电容电荷缓存电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，第一电容C1一端接地，另外一端串联第一开关K1后电连接功率MOS管Q1栅极，第二电容C2一端接地，另外一端串联第二开关K2后电连接功率MOS管Q1栅极，第三电容C3一端接地，另外一端串联第三开关K3后电连接功率MOS管Q1栅极，所述的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3的电容量均不相同，并且第一开关K1、第二开关K2、第三开关K3中部分开关根据功率MOS管Q1的实际需要情况处于永久闭合的状态；

所述的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3的电容量配置如下：当第一电容C1的电容量的实际储藏量误差值为±a时，其中的a为正数，则配置第二电容C2的电容量大于a；当第二电容C2的电容量的实际储藏量误差值为±b时，其中的b为正数，则配置第三电容C3的电容量大于b；

所述的第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3的电容量配置如下，首先在初始时，测量第一电容C1，测量的电容量为M1，其从功率MOS管Q1栅极吸收电荷时，评估相对吸收系数为V1；测量第二电容C2，测量的电容量为M2，其从功率MOS管Q1栅极吸收电荷时，评估相对吸收系数为V2；测量第三电容C3，测量的电容量为M3，其从功率MOS管Q1栅极吸收电荷时，评估相对吸收系数为V3；第一次测量时第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3从功率MOS管Q1栅极吸收电荷总量为N；

然后迭代计算和调整参数：

第一次预测第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3从功率MOS管Q1栅极吸收电荷总量为G1：G1=H（M1*V1+ M2*V2+ M3*V3）+F(N)*(1-H)；计算G1与实际量的差然后调整相对吸收系数为V1-V3的具体数值；

第二次预测第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3从功率MOS管Q1栅极吸收电荷总量为G2：G2=H（M1* V1+ M2* V2+ M3* V3）+F(G1)*(1-H)；计算G2与实际量的差然后调整相对吸收系数为V1-V3的具体数值；其中的H为预测配置参数，且H大于0小于1，其中的F()是用于变量平衡的函数；

按照上述方式迭代计算，第i+1次预测第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3从功率MOS管Q1栅极吸收电荷总量为Gi+1：Gi+1=H（M1* V1+ M2* V2+ M3* V3）+F(Gi)*(1-H)；计算Gi+1与实际量的差调整相对吸收系数为V1-V3的具体数值；直到预测第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3从功率MOS管Q1栅极吸收电荷总量与实际量的差满足阈值之后，获取相应的相对吸收系数为V1-V3的具体数值；然后调整M1、M2、M3的具体数值，直到M1* V1+ M2* V2+M3*V3=G0,其中的G0为功率MOS管Q1导通时的栅极电容电荷量。

2.如权利要求1所述的应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路，其特征在于，还包括辅助控制电路，所述的辅助控制电路包括一个第四开关K4，所述的第四开关K4一端与电源负极电连接，另外一端与功率MOS管Q1栅极电连接。

3.如权利要求1所述的应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路，其特征在于，所述的电荷补充电路包括一个电感元件L1，所述的电感元件L1一端串联第五开关K5后与电源正极电连接，所述的电感元件L1另外一端与功率MOS管Q1栅极电连接。