[发明专利]一种电容器阵列结构、及其制造方法及半导体存储器件

说明书

本申请公开了一种电容器阵列结构的制造方法，包括：提供衬底，并于所述衬底上形成交替叠置的牺牲层及支撑层；在覆盖所述衬底的结构上形成电容孔；于所述电容孔内形成电容单元结构；在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度；采用特气加倍或多倍的方式通入硅源气体、硼源气体、锗源气体进行反应以形成多晶种粒度，多晶种粒度在电容孔内扩散成膜以形成导电填充结构。通过采用特气加倍或多倍的方式在电容孔内保持多晶种粒度扩散成膜浓度不变的情况下，可以使通入的气体流量加倍，使形成的导电填充结构填充电容孔更加的致密且均匀，由此可以实现达到降低漏电,加强电容器阵列结构的作用。

技术领域

本申请涉及但不限于半导体的技术领域，尤其涉及一种电容器阵列结构、及其制造方法及半导体存储器件。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。目前，在20nm以下的DRAM制程中，DRAM均采用堆栈式的电容构造，其电容器(Capacitor)是垂直的高深宽比的圆柱体形状以增加表面积。

传统的方法对电容结构进行填充时，由于电容的高深宽比结构(高度:1000-2000nm,CD:30-60nm)，使用传统方法对电容结构进行填充时，会出现提前封口的现象，导致电容结构内产生空隙，造成漏电流的增加。

发明内容

本申请的目的是提供一种电容器阵列结构、及其制造方法及半导体存储器件，为解决现有技术中在使用传统的方法对电容孔进行填充时，由于电容的高深宽比结构(高度:1000-2000nm,CD:30-60nm)，在填充的时候，会出现提前封口的现象，导致电容结构内产生空隙，从而造成漏电流的增加的问题。

为解决上述技术问题，根据一些实施例，本申请提供了一种电容器阵列结构的制造方法，包括：提供衬底，并于所述衬底上形成交替叠置的牺牲层及支撑层；在覆盖所述衬底的结构上形成电容孔；于所述电容孔内形成电容单元结构；在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度；采用特气加倍或多倍的方式通入硅源气体、硼源气体、锗源气体进行反应以形成多晶种粒度，多晶种粒度在电容孔内扩散成膜以形成导电填充结构。

优选的是，于所述电容孔的内壁形成电容单元结构包括：在所述电容孔的内壁形成第一电极层；在所述交替叠置的牺牲层及支撑层上形成于支撑层上的至少一个开口，以打开所述支撑层，并基于所述开口去除所述牺牲层；于去除所述牺牲层得到的结构表面形成介质层，并于所述介质层的表面形成第二电极层。

优选的是，形成的一个所述开口仅与一个所述电容孔交叠，或者一个开口同时与多个所述电容孔交叠。

优选的是，在所述衬底表面形成刻蚀停止层，所述交替叠置的牺牲层及支撑层形成于刻蚀停止层的表面。

优选的是，所述锗源气体包括GeH₄或Ge₂H₆中的至少一种，所述硅源气体包括SiH₄、Si₂H₆或SiH₆Cl中的至少一种，所述硼源气体包括BCl₃或B₂H₆中的至少一种。

优选的是，在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度包括：通入的硅源气体在第一反应条件下反应10～30分钟，其中SiH₄气体的流量为:200标况毫升每分～300标况毫升每分。