[发明专利]耐高温磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种耐高温磁体，其特征在于：所述磁体的晶界结构包括主相结构、R壳层、过渡金属壳层和三角区，所述R壳层为Nd，Pr，Ho，Gd中的至少一种，所述过渡金属壳层为Cu、Al、Ga中的至少一种，所述三角区点扫成分包括成分Ⅰ，和成分Ⅱ，和/或成分Ⅲ，其中，

所述成分Ⅰ为Nd_aFe_bR_cM_d，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，M为Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中至少三种，所述Nd的重量百分比为a，30％≤a≤70％，所述Fe的重量百分比为b，5％≤b≤40％，所述R的重量百分比为c，5％≤c≤35％，所述M的重量百分比为d，0％≤d≤15％；

所述成分Ⅱ为Nd_eFe_fR_gH_hK_iM_j，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，所述H为Dy，Tb中的至少一种，所述K为Ho，Gd中的一种，所述M为Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中至少三种，所述Nd的重量百分比为e，25％≤e≤65％，所述Fe的重量百分比为f，5％≤f≤35％，所述R的重量百分比为g，5％≤g≤30％，所述H的重量百分比为h，5％≤h≤30％，所述K的重量百分比为i，1％≤i≤12％，所述M的重量百分比为j，0％≤j≤10％；

所述成分Ⅲ为Nd_kFe_lR_mD_nM_o，所述R为Pr，Ce，La中的至少一种，所述D为Al、Cu、Ga中至少一种，所述M为Ti、Co、Mg、Zn、Sn、Zr中的至少一种，所述Nd的重量百分比为k，30％≤k≤70％，所述Fe的重量百分比为l，5％≤l≤35％，所述R的重量百分比为m，5％≤m≤35％，所述D的重量百分比为n，5％≤n≤25％，所述M的重量百分比为o，0％≤o≤10％。

2.根据权利要求1所述的耐高温磁体，其特征在于：所述磁体的厚度为0.3-6mm。

3.一种制造权利要求1所述的耐高温磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(S1)将配制好的钕铁硼合金原料经熔炼、速凝薄片，制得钕铁硼合金薄片，将制得的合金薄片进行机械破碎，破碎为150-400μm的鳞片状合金薄片；

(S2)将鳞片状合金薄片、低熔点粉料、润滑剂进行机械混合搅拌，然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，经气流磨制备钕铁硼粉末，所述钕铁硼粉末的粒度为3-5μm；

(S3)将上述钕铁硼粉末压制成型，烧结得到所需的钕铁硼磁体；

(S4)将烧结后的钕铁硼磁体通过机械加工制成所需形状，然后通过涂覆的方式在磁体垂直或平行于C轴方向面形成低重稀土扩散源薄膜，其中扩散源的制备方法为雾化制粉，非晶甩带或铸锭；

(S5)最后进行扩散和回火处理，制得上述结构特征的钕铁硼磁体。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：步骤(S1)中，所述钕铁硼合金原料成分及其重量百分比分别为，28％≤R≤30％，0.8％≤B≤1.2％，0％≤M≤3％，其余为Fe，所述R为Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy，Ho，Gd中的至少两种，所述M为Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：步骤(S2)中，所述低熔点粉料包括NdCu、NdAl和NdGa中的至少一种，其各重量百分比为，0％≤NdCu≤3％，0％≤NdAl≤3％，0％≤NdGa≤3％，所述低熔点粉料为200nm-4μm。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：步骤(S2)中，所述脱氢温度为400-600℃。