[发明专利]具有多种类型的介质的存储系统中的耐久性感知的数据放置

说明书

本发明标题为“具有多种类型的介质的存储系统中的耐久性感知的数据放置”。电子设备的实施例可以包括一个或多个基板，以及耦合到一个或多个基板的逻辑，逻辑管理对包括第一持久性存储装置和第二持久性存储装置的存储系统的访问，捕获针对存储系统上的工作负载的输入/输出遥测，基于所捕获的输入/输出遥测来确定针对工作负载的一个或多个写减少因子和一个或多个写无效因子，以及基于一个或多个写减少因子和一个或多个写无效因子，在第一持久性存储装置和第二持久性存储装置之间分配用于工作负载的存储设备。公开并要求保护其它实施例。

背景技术

NAND闪存装置包括具有不同特性集合的各种不同类型的基于NAND的介质。单级单元(Single-level cell)(SLC)NAND在每个单元中存储一个位，多级单元(multi-levelcell)(MLC)NAND在每个单元中存储两个位，三级单元(triple-level cell)(TLC)NAND在每个单元中存储三个位，以及四级单元(quad-level cell)(QLC)NAND在每个单元中存储四个位。一般而言，随着每单元的位的数量增加，在容量增加的同时，耐久性、性能和花费通常降低。

附图说明

在附图中通过示例并非通过限制的方式示出了本文所述的材料。为了说明的简单和清楚，图中所示的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可能相对于其它元件被夸大。此外，在认为适当的情况下，在附图当中已经重复参考标记以指示对应或类似的元件。在附图中：

图1是根据实施例的电子系统的示例的框图；

图2是根据实施例的电子设备的示例的框图；

图3A至图3B是根据实施例的管理存储设备的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的存储管理器的示例的框图；

图5是根据实施例的处理流程的示例的说明图；

图6是根据实施例的管理存储设备的方法的另一示例的流程图；

图7是根据实施例的计算系统的示例的框图；

图8是根据实施例的处理流程的另一示例的说明性示图；以及

图9是根据实施例的计算系统的另一示例的框图。

具体实施方式

现在参考附图描述一个或多个实施例或实现。虽然讨论了特定的配置和布置，但是应当理解，这样做仅仅是为了说明的目的。相关领域的技术人员将认识到，在不脱离本说明书的精神和范围的情况下，可以采用其它配置和布置。对于相关领域的技术人员来说将清楚的是，本文所述的技术和/或布置也可用于除本文所述之外的各种其它系统和应用中。

虽然以下描述阐述了可以在诸如片上系统(SoC)架构之类的架构中表明的各种实现，但是例如，本文描述的技术和/或布置的实现不限于特定架构和/或计算系统，并且可以由任何架构和/或计算系统实现以用于类似目的。例如，例如采用例如多个集成电路(IC)芯片和/或封装和/或各种计算装置和/或诸如机顶盒、智能电话等的消费电子(CE)装置的各种架构可以实现本文描述的技术和/或布置。此外，虽然以下描述可以阐述许多特定细节，诸如系统组件的逻辑实现、类型和相互关系、逻辑划分/集成选择等，但是可以在没有这些特定细节的情况下实践所要求保护的主题。在其它情况下，为了不使本文公开的材料变得模糊，可能没有详细示出一些材料，诸如例如控制结构和完整的软件指令序列。