[发明专利]球栅阵列的缺陷分析方法与设备在审

专利信息
申请号: 202111123454.4 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN113836489A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 赵林;杨阳 申请(专利权)人: 英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司
主分类号: G06F17/18 分类号: G06F17/18
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 林锦辉;刘景峰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 阵列 缺陷 分析 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于芯片上球栅阵列的分析方法,包括:

获取芯片上球栅阵列中的缺陷球栅的检测数据,所述检测数据描述了所述芯片中每个缺陷球栅的参考点物理位置以及物理覆盖范围;

基于一预定的像素分辨率将所述参考点物理位置以及物理覆盖范围转译成像素表示的参考像素位置与像素覆盖范围;

基于所述参考像素位置与像素覆盖范围,生成表征所述缺陷球栅的缺陷类型的指示。

2.如权利要求1的分析方法,进一步包括:

获取所述芯片上球栅阵列中的缺陷球栅的检测原数据,其中所述原数据包括在第一坐标系下表示的所述缺陷球栅的原参考点物理位置以及所述物理覆盖范围;

将所述缺陷球栅的原参考点物理位置转换成第二坐标系下的所述参考点物理位置。

3.如权利要求2的分析方法,进一步包括:基于所述物理覆盖范围的特征类型,确定所述缺陷球栅的缺陷类型。

4.如权利要求3的分析方法,进一步包括:

获取所述芯片的标准球栅阵列的图形符号的标准模板,所述标准模板包括每个标准球栅的标准像素位置数据与标准图形符号,其中所述标准球栅阵列的图形符号具有所述像素分辨率。

5.如权利要求4的分析方法,其中所述物理覆盖范围具有第一特征类型,

所述分析方法进一步包括:

以所述参考像素位置为基准,遍历所述像素覆盖范围内的每个点,以确定其中的至少二个点,其中所述至少二个点中的每一个点与所述标准模板中其标准像素位置位于所述像素覆盖范围之外的标准球栅的高斯距离最短;

将所述至少二个点标记为第一缺陷类型的缺陷球栅的第一确认位置并存储所述第一确认位置的像素位置数据。

6.如权利要求4所示的分析方法,其中所述物理覆盖范围具有第二特征类型,

所述分析方法进一步包括:

以所述参考像素位置为基准,遍历所述像素覆盖范围内的每个点,以确定其中的一个点,其中所述一个点与所述标准模板中其标准像素位置位于所述像素覆盖范围之外的标准球栅的高斯距离最短;

将所述一个点标记为第二缺陷类型的缺陷球栅的第二确认位置并存储所述第二确认位置的像素位置数据。

7.如权利要求5的方法,进一步包括:在所述至少二个点的所述第一确认位置之间迭代执行二点中间值的插值计算,其中每个插值代表所述第一确认位置之间的一个插入点,直至代表所述至少二个点的二个标准图形符号之间的空间完全被代表所插入点的标准图形符号填充,以形成对对所述第一类型缺陷的指示。

8.如权利要求7的分析方法,进一步包括:

在所述标准模板上呈现经过所述标准图形符号填充的所述第一类型的缺陷球栅以覆盖所述标准模板中与所述第一确认位置的像素位置对应的标准球栅,以得到第一球栅阵列图形。

9.如权利要求6的分析方法,进一步包括在所述标准模板上以另一图形符号呈现所述第二缺陷类型的缺陷球栅以覆盖所述标准模板中与所述第二确认位置的像素位置对应的标准球栅,以得到第二球栅阵列图形,其中所述另一图形符号与所述标准图形符号不同,并用于指示所述第二类型的缺陷。

10.如权利要求8或9的分析方法,进一步包括:

针对多个芯片中的每个芯片,获取呈现有所述第一与第二缺陷类型的缺陷球栅的多个第一球栅阵列图形和/或第二球栅阵列图形;

叠加所述第一球栅阵列图形和/或第二球栅阵列图形以生成指示所述芯片上问题缺陷的热力图,其中热力图上的不同区域指示发生缺陷球栅的频次与位置。

11.如权利要求10的方法,其中所述多个芯片来自于球栅植入工艺中使用的托盘中的同一芯片位置,其中所述频次代表在所述芯片位置发生所述缺陷球栅的统计分布。

12.如权利要求7的方法,进一步包括统计所述托盘中不同芯片位置的发生所述缺陷球栅的统计分布。

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