[发明专利]一种晶圆表面金属离子采集装置及方法

权利要求书

1.一种晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述晶圆表面金属离子采集装置包括：

底座；

设置于所述底座上的承载装置，所述承载装置上设置有吸附晶圆的第一吸盘和第二吸盘，且所述第二吸盘能够翻转；并且所述第一吸盘和所述第二吸盘均为气体悬浮非接触式的气腔真空吸盘；其中，所述气腔真空吸盘为多个气腔的真空吸盘；

用于使扫描液在所述晶圆表面滚动，以收集所述晶圆表面金属离子的采集器；其中，所述采集器上设置有至少一个扫描喷嘴用于在所述晶圆表面喷注扫描液；

用于控制所述采集器移动和/或转动的运动机构。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述承载装置还包括：基座，支撑轴，第一旋转轴，第二旋转轴，上机械臂以及下机械臂；所述第一旋转轴和所述第二旋转轴可分别绕所述支撑轴在水平方向上旋转；其中，

所述上机械臂包括第一连接臂和第二连接臂，且所述第一吸盘通过所述第一连接臂和所述第二连接臂与所述第二旋转轴连接；其中，所述第一连接臂上设置有第三旋转轴，所述第三旋转轴能够在竖直方向上旋转以使得所述第一吸盘带动晶圆翻转；

所述下机械臂包括第三连接臂和第四连接臂，且所述第二吸盘通过所述第三连接臂和所述第四连接臂与所述第一旋转轴连接。

3.根据权利要求1所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述第一吸盘和所述第二吸盘的直径均小于所述晶圆的直径。

4.根据权利要求1所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述扫描液的成分为：质量分数为0.264％的HF，质量分数为11.42％的H₂O₂以及质量分数为88.316％的H₂O；其中，双氧水（H₂O₂）的质量浓度为35±1％，日本多摩化学AA-10级纯度；氢氟酸（HF）的质量浓度为38％，日本多摩化学AA-10级，纯度；超纯水：电阻率≥18MΩ·cm，水质：电阻率18.2MΩ·cm，TOC5ppb。

5.根据权利要求1所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述运动机构包括：

第一臂，所述第一臂沿平行于所述底座的承载面的第一方向设置于所述底座上；

L型的第二臂，包括竖臂和横臂，所述竖臂沿垂直于所述底座的承载面的第二方向设置，并能够在所述第一臂上往复移动，所述横臂沿与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向设置；

滑块，所述滑块可移动地设置于所述横臂上；

第四旋转轴，所述第四旋转轴沿所述第二方向设置，且能够绕所述第二方向转动，并能够在所述滑块带动下移动；其中，

所述第四旋转轴通过连接轴与所述采集器连接，且所述第四旋转轴与所述连接轴之间设置有转动关节，以带动所述采集器旋转来实现对所述晶圆的表面采集金属离子。

6.根据权利要求1所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述晶圆表面金属离子采集装置还包括外罩，且所述外罩的材质为透明耐酸碱腐蚀材料。

7.根据权利要求6所述的晶圆表面金属离子采集装置，其特征在于，所述外罩上设置有进气口和出气口，且所述进气口处设置有10级洁净度空气过滤器。

8.一种晶圆表面金属离子采集方法，其特征在于，所述晶圆表面金属离子采集方法能够应用于权利要求1至7任一项所述的晶圆表面金属离子采集装置中，所述晶圆表面金属离子采集方法包括：

将去除表面氧化膜的晶圆放置于第二吸盘上，并转动至采集器下方预设位置，保持不动；

通过调整运动机构使得所述采集器中的扫描喷嘴的外喷嘴底部与所述第二吸盘上的所述晶圆表面保持合适的距离和扫描的起始位置；

通过所述扫描喷嘴向所述晶圆表面喷注扫描液，并按照设定的扫描路线，调整所述采集器的位置以使得所述扫描液滴落在所述晶圆表面的不同位置区域并在所述晶圆表面上滚动以便于采集所述晶圆表面的金属离子。