[发明专利]一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法

权利要求书

1.一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括：

依次用直槽刀具、斜上槽刀具、斜下槽刀具对气体分配盘进行切削加工得到O型密封槽。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述斜上槽刀具包括固定段和切削段；

优选地，所述斜上槽刀具的高度为8～12mm，进一步优选为10mm；

优选地，所述固定段的长度为94.5～96.5mm，进一步优选为95.5mm；

优选地，所述切削段的长度为3.5～5.5mm，进一步优选为4.5mm。

3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其特征在于所述，所述斜上槽刀具的切削段包括切削刃和断屑槽；

优选地，所述切削刃的下端面长度为3～4mm，进一步优选为3.5mm；

优选地，所述切削刃的上端面长度为2～3mm，进一步优选为2.66mm；

优选地，所述切削刃的高度为2～2.5mm，进一步优选为2.29mm；

优选地，所述断屑槽为端面斜上槽。

4.根据权利要求1-3任一项所述的加工方法，其特征在于，所述直槽刀具包括固定段和切削段；

优选地，所述直槽刀具的高度为8～12mm，进一步优选为10mm；

优选地，所述固定段的长度为90～95mm，进一步优选为95mm；

优选地，所述切削段的长度为5～10mm，进一步优选为5mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的加工方法，其特征在于，所述直槽刀具的切削段包括切削刃，所述切削刃为直槽切削刃；

优选地，所述切削刃的下端面长度为3～5mm，进一步优选为3.4mm；

优选地，所述切削刃的上端面长度为3～5mm，进一步优选为3.4mm；

优选地，所述切削刃的高度为2～3mm，进一步优选为2.6mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的加工方法，其特征在于，所述斜下槽刀具包括固定段和切削段；

优选地，所述斜下槽刀具的高度为8～12mm，进一步优选为10mm；

优选地，所述固定段的长度为94.5～96.5mm，进一步优选为95.5mm；

优选地，所述切削段的长度为3.5～5.5mm，进一步优选为4.5mm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的加工方法，其特征在于，所述斜下槽刀具的切削段包括切削刃和断屑槽；

优选地，所述切削刃的上端面长度为3～4mm，进一步优选为3.5mm；

优选地，所述切削刃的下端面长度为2～3mm，进一步优选为2.66mm；

优选地，所述切削刃的高度为2～2.5mm，进一步优选为2.29mm；

优选地，所述断屑槽为端面斜下槽。

8.根据权利要求1-7任一项所述的加工方法，其特征在于，所述斜上槽刀具和斜下槽刀具的加工参数一致；

优选地，所述的加工参数包括主轴转速、进给量和加工深度；

优选地，所述主轴转速为200～250r/min，进一步优选为240r/min；

优选地，所述进给量为0.01～0.03mm/r，进一步优选为0.02mm/r；

优选地，所述加工深度为48.295～50.77mm/min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的加工方法，其特征在于，所述直槽刀具的加工参数包括主轴转速、进给量和加工深度；

优选地，所述主轴转速为280～320r/min，进一步优选为300r/min；

优选地，所述进给量为0.01～0.05mm/r，进一步优选为0.03mm/r；

优选地，所述加工深度每次为0.5mm。

10.一种气体分配盘，其特征在于，所述气体分配盘包括采用权利要求1-9任一项所述的加工方法制得的O型密封槽；

优选地，所述气体分配盘的直径为430～435mm；

优选地，所述气体分配盘的厚度为58～65mm；

优选地，所述气体分配盘的材质为铝材。