[发明专利]涂层及其制备方法和器具

权利要求书

1.一种涂层，其特征在于，包括用于与基底接触的第一涂层以及层叠在所述第一涂层之上的第二涂层，所述第二涂层包括非晶α-Si₃N₄相、CrN相与金属Ni相，所述非晶α-Si₃N₄相与金属Ni相包裹所述CrN相；其中，

所述第一涂层的组分以原子数量百分比含量计包括47％～53％的Cr以及47％～53％的N；

所述第二涂层的组分以原子数量百分比含量计包括25％～40％的Cr、4％～15％的Si、1％～10％的Ni以及45％～55％的N。

2.如权利要求1所述的涂层，其特征在于，所述第一涂层的厚度为0.2μm～1μm。

3.如权利要求1或2所述的涂层，其特征在于，所述第二涂层的厚度为1.5μm～10μm。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：按照所述第一涂层的组分配制原料，在所述基底上制备第一涂层；

S20：按照所述第二涂层的组分配制原料，在所述第一涂层的表面上制备第二涂层，其中，所述第二涂层包括非晶α-Si₃N₄相、CrN相与金属Ni相，所述非晶α-Si₃N₄相与金属Ni相包裹所述CrN相。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，制备第一涂层的方法与制备第二涂层的方法各自独立地选自电弧离子镀和磁控溅射中的至少一种。

6.如权利要求5所述涂层的制备方法，其特征在于，在步骤S10中，包括在氮气气氛下，调整气压在0.8Pa～8.0Pa，基底偏压为-20V～-300V，对Cr靶材进行电弧离子镀，靶材电流为80A～250A，利用制备所述第一涂层。

7.如权利要求5所述涂层的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括在氮气气氛下，调整气压在1.5Pa～6.0Pa，基体偏压为-20～-200V，对CrSiNi靶材进行电弧离子镀靶材电流为80A～200A，制备所述第二涂层。

8.如权利要求5所述涂层的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，包括在氮气气氛下，调整气压在1.0～8.0Pa，基体偏压为-20V～-200V，对CrSiNi合金靶材进行高功率脉冲磁控溅射，电源功率为1kW～10kW，峰值电压为800V～900V，高功率频率为50kHz～70kHz，制备所述第二涂层。

9.如权利要求4～8任一项所述涂层的制备方法，其特征在于，在步骤S10之前还包括对所述基底进行离子轰击清洗的步骤：包括通入氩气，调整气压为0.1Pa～1.5Pa，调整基底偏压为-50V～-300V，利用电弧增强辉光放电电源或者离子源电源，对基底表面进行氩离子刻蚀。

10.一种器具，其特征在于，包括基底，以及附着在所述基底表面的如权利要1～3任一项所述的涂层。