[发明专利]一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器有效
| 申请号： | 202111126379.7 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113809544B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 张铭;孟宪睿;王如志;王长昊;席宇鹏;李赛楠;张持 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 石墨 复合 材料 赫兹 宽带 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于，该吸收器每个结构单元由上下两部分叠加而成，上部分包括砷化镓/石墨烯超材料层，中间介电层，下层GaAs层；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层；所述金属反射层为一层连续的金属薄膜，材料为金、银、铝或铜；介质层位于金属反射层和石墨烯层之间，为二氧化硅，相对介电常数为3～4之间，介质层的厚度为10～16μm；
石墨烯层的化学势在0.1～0.9eV之间,石墨烯层的厚度为0.7～1.8nm；砷化镓/石墨烯超材料层中的上层十字石墨烯径长为56～68μm，径宽为7～15μm，下部分的石墨烯层的十字石墨烯径长为70～75μm，径宽为18～24μm；上层十字石墨烯层四周分布四个同大小的GaAs方框，四个同大小的GaAs方框分别在十字石墨烯划分的四个区域；采用波长为800nm的泵浦光激发GaAs方框，使GaAs材料的电导率在4000～200000S/m之间变化，每个GaAs方框的外框长为23μm，内框长为17μm；该结构单元的晶格周期为65～85μm。
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